ماسفت Si2302 از نوع N-Channel enhancement mode بوده و با استفاده از فناوری TrenchMOS طراحی شده است. این ماسفت با قابلیت سوئیچینگ بسیار سریع، سطح منطقی ورودی (Logic-level gate) و مقاومت پایین در حالت روشن (RDS(on))، گزینه‌ای ایده‌آل برای مدارهای مدیریت انرژی، DC-DC کانورترها، و کلیدهای بار در بردهای فشرده SMD است. پکیج SOT-23 به‌دلیل ابعاد کوچک، آن را برای کاربردهای پرتابل و مونتاژ ماشینی بسیار مناسب می‌سازد. توانایی عبور جریان تا 2.5 آمپر و حداکثر ولتاژ درین-سورس 20 ولت از ویژگی‌های اصلی این قطعه هستند.

مشخصات

• نوع قطعه: N-Channel MOSFET
• فناوری ساخت: TrenchMOS
• پکیج: SOT-23 (سه‌پایه)
• ولتاژ درین-سورس (VDS): 20V
• ولتاژ گیت-سورس (VGS): ±8V
• جریان خروجی پیوسته (ID) در 25°C: حداکثر 2.5A
• جریان خروجی لحظه‌ای (IDM): حداکثر 10A (پالس کوتاه)
• مقاومت روشن (RDS(on)) در VGS=4.5V: حداکثر 85mΩ
• مقاومت روشن (RDS(on)) در VGS=2.5V: حداکثر 115mΩ
• ولتاژ آستانه گیت (VGS(th)): حداقل 0.65V
• بار گیت کل (Qg): حدود 5.4nC در 4.5V
• ظرفیت ورودی (Ciss): حدود 230pF
• زمان تاخیر روشن شدن (td(on)): حداکثر 20ns
• زمان تاخیر خاموش شدن (td(off)): حداکثر 100ns
• ولتاژ دیود داخلی (VSD): حداکثر 1.2V در 1.6A
• توان مصرفی (Ptot): حداکثر 0.83W در 25°C
• مقاومت حرارتی تا لحیم (Rθ(j-sp)): 150°C/W
• دمای کاری: از -65°C تا +150°C

کاربردهای رایج

ماسفت Si2302 به‌دلیل ابعاد کوچک، سرعت بالا و RDS(on) پایین، انتخابی ایده‌آل برای سوئیچینگ سریع و کاربردهای باتری‌محور است. همچنین در مدارهای تغذیه و تجهیزات کم‌مصرف نقش کلیدی دارد.

• مبدل‌های DC-DC با توان پایین
• کلیدهای بار در دستگاه‌های پرتابل
• سیستم‌های مدیریت انرژی در تجهیزات قابل‌حمل
• کنترل LED با PWM
• درایور موتورهای بسیار کوچک
• قطع و وصل بار توسط میکروکنترلر
• حفاظت ولتاژ معکوس
• سوئیچینگ سریع در مدارهای منطقی
• مدارهای شارژ باتری لیتیومی
• تجهیزات اینترنت اشیاء (IoT) کم‌مصرف

Specification

Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-23-3
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Id - Continuous Drain Current: 2.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 56 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: 8 V
Qg - Gate Charge: 5.4 nC
Minimum Operating Temperature: - 65 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 830 mW
Configuration: Single
Channel Mode: Enhancement
Height: 1 mm
Length: 3 mm
Product: MOSFET Small Signal
Transistor Type: 1 N-Channel
Width: 1.4 mm
 Brand: Nexperia
Forward Transconductance - Min: 8 S
Fall Time: 34 ns
Product Type: MOSFET