IRFP260 یک ترانزیستور MOSFET سیلیکونی از نوع Enhancement و تک‌کاناله است که برای کاربردهای توان بالا طراحی شده است. این قطعه با تحمل ولتاژ درین-سورس 200V و جریان پیوسته 50A، گزینه‌ای مناسب برای مدارهای سوئیچینگ با توان متوسط تا بالا محسوب می‌شود. مقاومت روشن 40mΩ موجب کاهش تلفات هدایتی و بهبود راندمان در حالت سوئیچ شده می‌شود. قابلیت تحمل ولتاژ گیت تا ±20V انعطاف مناسبی در طراحی درایور فراهم می‌کند. توان تلفاتی 300W در کنار بازه دمای کاری -55°C تا +175°C امکان استفاده در شرایط صنعتی و محیط‌های با تنش حرارتی بالا را فراهم می‌سازد. زمان صعود 60ns و زمان نزول 48ns نشان‌دهنده عملکرد مناسب در کاربردهای سوئیچینگ سریع است. پکیج TO-247-3 با ساختار Through Hole برای نصب روی هیت‌سینک و دفع حرارت مؤثر طراحی شده و در طراحی منابع تغذیه سوئیچینگ و اینورترها بسیار متداول است.

مشخصات

• نوع ترانزیستور: N-Channel
• تکنولوژی ساخت: Si
• مد کاری کانال: Enhancement
• تعداد کانال: 1 Channel
• حداکثر ولتاژ درین-سورس Vds: 200 V
• جریان پیوسته درین Id: 50 A
• مقاومت روشن Rds On: 40 mOhms
• حداکثر ولتاژ گیت-سورس Vgs: -20 V تا +20 V
• توان تلفاتی Pd: 300 W
• زمان صعود: 60 ns
• زمان نزول: 48 ns
• حداقل دمای کاری: -55 C
• حداکثر دمای کاری: +175 C
• نوع نصب: Through Hole
• پکیج: TO-247-3

کاربردهای رایج

این ماسفت در مدارهایی استفاده می‌شود که نیاز به سوئیچینگ جریان بالا با راندمان مناسب دارند. قابلیت دفع حرارت بالا و تحمل توان زیاد آن را برای طراحی‌های صنعتی و منابع تغذیه پرقدرت مناسب کرده است.

• منابع تغذیه سوئیچینگ
• اینورترهای DC به AC
• درایو موتور DC
• مبدل‌های DC-DC
• مدارهای UPS
• تقویت‌کننده‌های توان سوئیچینگ
• کنترل شارژ باتری‌های صنعتی
• سیستم‌های جوشکاری الکترونیکی
• مدارهای پل H
• تجهیزات صنعتی قدرت

Specification

Product Category: MOSFET
Technology: Si
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Transistor Polarity: N-Channel
Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 200 V
Id - Continuous Drain Current: 50 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 40 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Pd - Power Dissipation: 300 W
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Fall Time: 48 ns
Height: 20.7 mm
Length: 15.87 mm
Product Type: MOSFET
Rise Time: 60 ns
Transistor Type: 1 N-Channel