ماسفت IRF7470 نوع N-Channel پکیج SOP-8

کد کالا: 2111001579

ماسفت قدرت N-Channel با ولتاژ 40V، جریان 10A پکیج SO-8، مناسب برای مبدل‌های DC-DC و منابع تغذیه سوئیچینگ.

دیدگاه کاربران 0 دیدگاه

ارسال سریع به سراسر کشور

ارسال روزانه سفارش‌ها به تمامی نقاط ایران با امکان ارسال رایگان و روش‌های متنوع حمل

بسته‌بندی حرفه‌ای و ایمن

بسته‌بندی مناسب برای محافظت از قطعات الکترونیکی حساس در فرآیند حمل و جابه‌جایی

خرید مطمئن از ECA

ارائه کالاها با تضمین اصالت و پشتیبانی پس از فروش

130,000 ریال

موجود در انبار

توضیحات

IRF7470 یک ماسفت قدرت کانال N از سری HEXFET است که برای کاربردهای سوئیچینگ فرکانس بالا و مبدل‌های DC-DC طراحی شده است. این قطعه با مقاومت روشن بسیار پایین و امپدانس گیت کم، تلفات توان را کاهش داده و راندمان مدار را افزایش می‌دهد. عملکرد مناسب در ولتاژ گیت 4.5 ولت باعث شده این ماسفت در مدارهای مبتنی بر میکروکنترلر، منابع تغذیه سوئیچینگ و سیستم‌های مدیریت توان کاربرد گسترده‌ای داشته باشد. پکیج SO-8 علاوه بر اشغال فضای کم روی برد، امکان استفاده در طراحی‌های فشرده و تجهیزات الکترونیکی مدرن را فراهم می‌کند. سرعت سوئیچینگ بالا، بار گیت مناسب و قابلیت تحمل انرژی آوالانچ، IRF7470 را به انتخابی مناسب برای تجهیزات صنعتی، مخابراتی و مصرفی تبدیل کرده است.

مشخصات

نوع ترانزیستور: MOSFET کانال N
مدل: IRF7470
پکیج: SO-8
نوع نصب: SMD
ولتاژ درین به سورس (VDS): 40V
ولتاژ گیت به سورس (VGS): ±12V
حداکثر جریان درین پیوسته در 25°C: 10A
حداکثر جریان درین پیوسته در 70°C: 8.5A
حداکثر جریان پالسی درین: 85A
حداکثر توان تلفاتی در 25°C: 2.5W
حداکثر توان تلفاتی در 70°C: 1.6W
مقاومت روشن RDS(on) در VGS=10V: 13mΩ
مقاومت روشن RDS(on) در VGS=4.5V: 15mΩ
مقاومت روشن RDS(on) در VGS=2.8V: 30mΩ
ولتاژ آستانه گیت VGS(th): 0.8V تا 2V
هدایت مستقیم (gfs): 27S
بار کل گیت (Qg): 29nC
بار گیت به سورس (Qgs): 7.9nC
بار گیت به درین (Qgd): 8nC
بار خروجی (Qoss): 23nC
ظرفیت ورودی (Ciss): 3430pF
ظرفیت خروجی (Coss): 690pF
ظرفیت انتقال معکوس (Crss): 41pF
زمان تأخیر روشن شدن: 10ns
زمان افزایش: 1.9ns
زمان تأخیر خاموش شدن: 21ns
زمان کاهش: 3.2ns
انرژی آوالانچ تک پالسی: 300mJ
جریان آوالانچ: 8A
حداکثر جریان دیود داخلی: 2.3A
حداکثر جریان پالسی دیود داخلی: 85A
ولتاژ مستقیم دیود داخلی: 1.3V
دمای کاری پیوند: -55°C تا +150°C
حداکثر مقاومت حرارتی پیوند به محیط: 50°C/W

کاربردهای رایج

ماسفت IRF7470 برای طراحی مدارهای سوئیچینگ با راندمان بالا و ابعاد فشرده مناسب است. مقاومت روشن پایین و عملکرد مطلوب در فرکانس‌های بالا، این قطعه را به گزینه‌ای مناسب برای مبدل‌های توان و تجهیزات الکترونیکی مدرن تبدیل کرده است.