ترانزیستور AO3407 یک ماسفت (MOSFET) کانال P با ساختار Enhancement Mode است که برای مدارهای سوئیچینگ و مدیریت توان طراحی شده است. این ترانزیستور با استفاده از فناوری پیشرفته Trench MOSFET، مقاومت روشن پایین و بار گیت نسبتاً کمی دارد که به کاهش تلفات هدایت و بهبود عملکرد سوئیچینگ کمک می‌کند.ماسفت AO3407 قابلیت تحمل ولتاژ درین-سورس تا 30V و جریان پیوسته 4.1A را در شرایط مشخص‌شده دیتاشیت دارد. مقاومت درین-سورس در حالت روشن (RDS(on)) حداکثر 52mΩ در ولتاژ گیت-سورس منفی 10V و حداکثر 87mΩ در ولتاژ منفی 4.5V است.ساختار کانال P این ترانزیستور آن را برای کاربردهای سوئیچینگ سمت مثبت تغذیه (High-Side Switching) مناسب می‌کند. در چنین مدارهایی با پایین آوردن ولتاژ گیت نسبت به سورس، ترانزیستور روشن شده و جریان بار را کنترل می‌کند.
AO3407 در پکیج کوچک SOT-23 با 3 پایه عرضه می‌شود و برای طراحی بردهای الکترونیکی فشرده، سیستم‌های تغذیه باتری، مدارهای کنترل بار و تجهیزات قابل حمل مناسب است.

مشخصات فنی

• نوع: ترانزیستور ماسفت قدرت (Power MOSFET)
• پارت نامبر: AO3407
• نوع کانال: P-Channel
• نوع عملکرد: Enhancement Mode
• فناوری ساخت: Trench MOSFET
• ولتاژ درین-سورس (VDS): حداکثر ‎-30V
• ولتاژ گیت-سورس (VGS): حداکثر ±20V
• جریان پیوسته درین (ID) در دمای محیط 25°C: حداکثر ‎-4.1A
• جریان پیوسته درین (ID) در دمای محیط 70°C: حداکثر ‎-3.5A
• جریان پالسی درین (IDM): حداکثر ‎-25A
• مقاومت روشن (RDS(on)) در VGS=-10V: حداکثر 52mΩ
• مقاومت روشن (RDS(on)) در VGS=-4.5V: حداکثر 87mΩ
• مقاومت روشن معمول در VGS=-10V: برابر 34mΩ
• مقاومت روشن معمول در VGS=-4.5V: برابر 54mΩ
• ولتاژ آستانه گیت (VGS(th)): از ‎-1.4 تا ‎-2.4V
• توان تلفاتی در دمای محیط 25°C: حداکثر 1.4W
• توان تلفاتی در دمای محیط 70°C: حداکثر 0.9W
• ظرفیت ورودی (Ciss): مقدار معمول 520pF
• ظرفیت خروجی (Coss): مقدار معمول 100pF
• ظرفیت انتقال معکوس (Crss): مقدار معمول 65pF
• بار کل گیت (Qg) در VGS=-10V: مقدار معمول 9.2nC و حداکثر 11nC
• بار کل گیت در VGS=-4.5V: مقدار معمول 4.6nC و حداکثر 6nC
• مقاومت گیت (Rg): مقدار معمول 7.5Ω
• زمان تأخیر روشن شدن (td(on)): مقدار معمول 7.5ns
• زمان خیز (tr): مقدار معمول 5.5ns
• زمان تأخیر خاموش شدن (td(off)): مقدار معمول 19ns
• زمان افت (tf): مقدار معمول 7ns
• محدوده دمای پیوند و نگهداری: ‎-55 تا ‎+150°C
• پکیج: SOT-23 / TO-236
• تعداد پایه: 3 پایه
• نوع نصب: سطحی (SMD)

ویژگی‌ها

• ساختار کانال P مناسب برای سوئیچینگ سمت مثبت تغذیه
• مقاومت روشن پایین برای کاهش تلفات هدایت
• بار گیت نسبتاً کم برای سوئیچینگ سریع
• استفاده از فناوری Trench MOSFET
• قابلیت راه‌اندازی با ولتاژ گیت-سورس منفی 4.5V با مقاومت روشن مشخص‌شده
• مناسب مدارهای سوئیچینگ PWM
• پکیج کوچک SOT-23 برای طراحی مدارهای فشرده
• قابلیت کنترل بارهای DC با مدار درایور مناسب
• دارای دیود بدنه داخلی (Body Diode)

کاربردهای رایج

ماسفت AO3407 برای مدارهای الکترونیکی با ولتاژ پایین که نیازمند کنترل جریان و قطع و وصل سریع بار هستند، کاربرد دارد. ساختار P-Channel امکان استفاده از آن را در مسیر مثبت تغذیه فراهم می‌کند و مقاومت روشن پایین به کاهش تلفات توان کمک می‌کند. این ماسفت در طراحی مدارهای مدیریت تغذیه، تجهیزات باتری‌خور و سوئیچ‌های الکترونیکی استفاده می‌شود.

• سوئیچینگ سمت مثبت تغذیه (High-Side Switching)
• مدارهای مدیریت توان (Power Management)
• کنترل روشن و خاموش شدن بارهای DC
• مدارهای تغذیه تجهیزات باتری‌خور
• سیستم‌های قطع و وصل الکترونیکی
• مدارهای کنترل PWM
• مبدل‌های DC-DC با طراحی مناسب
• مدارهای انتخاب و سوئیچ منبع تغذیه
• تجهیزات الکترونیکی قابل حمل
• تعمیر بردهای الکترونیکی دارای ماسفت AO3407