IRF1404 یک MOSFET قدرت کانال N از خانواده HEXFET شرکت International Rectifier است که امروزه تحت مجموعه Infineon عرضه می‌شود. این قطعه برای مدارهایی طراحی شده است که نیاز به کلیدزنی جریان بالا با تلفات هدایتی کم دارند و در کاربردهای توان پایین‌ولتاژ مورد استفاده قرار می‌گیرد. مقاومت حالت روشن پایین این MOSFET باعث کاهش افت ولتاژ هنگام عبور جریان و کاهش تولید گرما در مدار می‌شود. بدنه TO-220AB امکان نصب آسان روی هیت‌سینک را فراهم می‌کند، اما برای استفاده در جریان‌های بالا باید طراحی حرارتی، مسیر عبور جریان و شرایط کاری به‌صورت مناسب در نظر گرفته شود.

 مشخصات 

• نوع محصول: ترانزیستور MOSFET قدرت کانال N
• مدل: IRF1404
• سازنده: International Rectifier
• فناوری: HEXFET Power MOSFET
• نوع پکیج: TO-220AB
• نوع نصب: Through Hole
• تعداد پایه: 3
• ولتاژ Drain-Source: 40V
• جریان Drain پیوسته: 202A
• جریان Drain در دمای 100°C: 143A
• جریان پالسی Drain: 808A
• مقاومت حالت روشن: حداکثر 4mΩ
• شرایط مقاومت حالت روشن: VGS=10V
• ولتاژ آستانه Gate-Source: 2V تا 4V
• حداکثر ولتاژ Gate-Source: ±20V
• توان تلفاتی: 333W
• دمای کاری پیوند: -55°C تا +175°C
• دیود داخلی: دارد
• شارژ گیت: 131nC
• شارژ گیت Drain: 42nC

کاربردهای رایج 

این MOSFET در مدارهایی استفاده می‌شود که نیاز به کنترل بارهای پرجریان با سرعت سوئیچینگ مناسب دارند. به دلیل مشخصات الکتریکی آن، بیشتر در سیستم‌های توان پایین‌ولتاژ مانند کنترل موتور، تجهیزات باتری و مبدل‌های قدرت کاربرد دارد.

• کنترل موتورهای DC پرقدرت
• درایور موتورهای رباتیک
• کنترلر سرعت موتور (ESC)
• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
• مدارهای اینورتر DC به AC
• سیستم‌های مدیریت باتری (BMS)
• سوئیچینگ بارهای جریان بالا
• مدارهای کنترل توان خودرو