ماسفت MTN4N60AE3 از خانواده ترانزیستورهای قدرت N-Channel Enhancement Mode شرکت CYStek است که برای کنترل و قطع و وصل توان در مدارهای ولتاژ بالا مورد استفاده قرار می‌گیرد. این قطعه با ساختار MOSFET امکان راه‌اندازی با سیگنال گیت را فراهم کرده و به دلیل نیاز نداشتن به جریان ورودی قابل توجه در پایه Gate، گزینه‌ای مناسب برای طراحی مدارهای سوئیچینگ محسوب می‌شود. این مدل برای کاربردهایی طراحی شده است که نیاز به تحمل ولتاژ درین-سورس بالا دارند. ساختار داخلی آن شامل دیود Body Diode بین پایه‌های Drain و Source است که در مدارهای دارای جریان برگشتی یا بارهای القایی نقش محافظتی دارد. پکیج TO-220FP این ماسفت دارای بدنه کاملاً عایق الکتریکی است و امکان نصب مستقیم روی هیت‌سینک را در شرایطی که نیاز به جداسازی الکتریکی بین هیت‌سینک و پایه Drain وجود دارد فراهم می‌کند. این ویژگی باعث افزایش ایمنی در طراحی تجهیزات قدرت می‌شود. به دلیل شارژ گیت پایین و مشخصات سوئیچینگ مناسب، MTN4N60AE3 در مدارهای Flyback، Forward و منابع تغذیه سوئیچینگ فرکانس متوسط کاربرد دارد. با این حال، مقدار مقاومت روشن‌شدن Drain-Source باید در طراحی‌های جریان بالا بررسی شود، زیرا افزایش توان تلفاتی می‌تواند نیاز به مدیریت حرارتی مناسب ایجاد کند.

مشخصات

• برند: CYStek / CYStech Electronics Corp.
• مدل: MTN4N60AE3
• نوع قطعه: Power MOSFET
• ساختار کانال: N-Channel Enhancement Mode
• پکیج: TO-220FP
• کد پکیج سازنده: E3
• ولتاژ درین-سورس (VDS): 600V
• جریان درین پیوسته (ID): 4A در TC=25°C
• جریان درین پیوسته (ID): 2.4A در TC=100°C
• جریان پالسی درین (IDM): 16A
• ولتاژ گیت-سورس (VGS): ±30V
• مقاومت روشن‌شدن (RDS(on)): مقدار تیپیک 2.8Ω
• حداکثر مقاومت روشن‌شدن (RDS(on)): 3.2Ω
• شرایط تست RDS(on): VGS=10V و ID=2A
• توان تلفاتی کل (PD): 83W
• دمای کاری پیوند (Tj): -55°C تا +150°C
• مقاومت حرارتی اتصال به بدنه (RθJC): حداکثر 1.5°C/W
• مقاومت حرارتی اتصال به محیط (RθJA): حداکثر 62.5°C/W
• شارژ کل گیت (Qg): 13.6nC
• شارژ گیت-سورس (Qgs): 2.8nC
• شارژ گیت-درین (Qgd): 6nC
• تأخیر روشن‌شدن (td(on)): 19ns
• زمان افزایش (tr): 40ns
• تأخیر خاموش‌شدن (td(off)): 38ns
• زمان افت (tf): 36ns
• ولتاژ مستقیم دیود داخلی (VSD): حداکثر 1.5V
• جریان دیود داخلی (IS): 4A
• جریان پالسی دیود داخلی (ISM): 16A
• زمان بازیابی معکوس (trr): 290ns
• شارژ بازیابی معکوس (Qrr): 2µC
• ظرفیت ورودی (Ciss): 565pF در فرکانس 1MHz
• ظرفیت خروجی (Coss): 52pF در فرکانس 1MHz
• ظرفیت انتقال معکوس (Crss): 9.2pF در فرکانس 1MHz
• پین 1: Gate
• پین 2: Drain
• پین 3: Source
• اتصال زبانه پشتی پکیج (Tab): Drain
• استاندارد سازگاری: RoHS
  
  

کاربردهای رایج 

ماسفت MTN4N60AE3 در تجهیزات الکترونیکی قدرتی استفاده می‌شود که نیاز به کلیدزنی ولتاژ بالا، کنترل توان و عملکرد پایدار در فرکانس‌های متوسط دارند. پکیج عایق آن باعث شده در طراحی‌هایی که ایمنی الکتریکی و نصب روی هیت‌سینک اهمیت دارد، انتخاب مناسبی باشد.

• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
• آداپتورهای AC/DC
• تجهیزات گیرنده دیجیتال (STB)
• مدارهای Flyback
• مدارهای Forward Converter
• درایورهای توان با فرکانس متوسط
• مدارهای کنترل بارهای ولتاژ بالا
• تجهیزات الکترونیکی صنعتی
• سیستم‌های تبدیل توان
• مدارهای سوئیچینگ عمومی