ترانزیستور ماسفت IRFZ44N یک MOSFET قدرت از نوع N-Channel است که برای کنترل و سوئیچینگ جریان‌های بالا در مدارات الکترونیکی طراحی شده است. این ماسفت از فناوری HEXFET بهره می‌برد و به دلیل مقاومت پایین بین درین و سورس در حالت روشن، برای کاربردهایی که کاهش تلفات هدایت اهمیت دارد مناسب است.ماسفت IRFZ44N دارای حداکثر ولتاژ قابل تحمل درین به سورس 55V و جریان پیوسته نامی 49A در دمای بدنه 25°C است. مقاومت روشن (RDS(on)) آن حداکثر 17.5mΩ در ولتاژ گیت 10V و جریان درین 25A اعلام شده است. این ویژگی به کاهش افت ولتاژ و تلفات توان در مسیر عبور جریان کمک می‌کند.این ترانزیستور از نوع افزایشی (Enhancement Mode) بوده و با اعمال ولتاژ مثبت مناسب بین گیت و سورس روشن می‌شود. سرعت سوئیچینگ مناسب آن امکان استفاده در مدارات PWM، کنترل دور موتورهای DC، منابع تغذیه سوئیچینگ و مبدل‌های DC-DC را فراهم می‌کند.پکیج TO-220 با 3 پایه و سطح فلزی مناسب برای اتصال هیت‌سینک، دفع حرارت تولیدشده در شرایط کاری را تسهیل می‌کند. بااین‌حال، میزان جریان قابل استفاده در عمل به خنک‌کاری، دمای محیط، نحوه راه‌اندازی گیت و شرایط بار بستگی دارد.

مشخصات فنی

• نوع: ترانزیستور MOSFET قدرت
• مدل: IRFZ44N
• خانواده: HEXFET Power MOSFET
• فناوری ساخت: سیلیکون (Si)
• نوع کانال: N-Channel
• حالت عملکرد: افزایشی (Enhancement Mode)
• تعداد کانال: 1
• پکیج: TO-220-3
• تعداد پایه: 3
• نوع نصب: پایه‌دار (Through-Hole)
• حداکثر ولتاژ درین به سورس (VDS): 55V
• حداکثر جریان پیوسته درین (ID): 49A در دمای بدنه 25°C
• جریان پیوسته درین در دمای بدنه 100°C: حداکثر 35A
• حداکثر جریان پالسی درین (IDM): 160A
• حداکثر مقاومت درین به سورس در حالت روشن (RDS(on)): 17.5mΩ در VGS=10V و ID=25A
• محدوده ولتاژ آستانه گیت (VGS(th)): 2V تا 4V
• حداکثر ولتاژ گیت به سورس (VGS): ±20V
• حداکثر توان تلفاتی (PD): 94W در دمای بدنه 25°C، مطابق دیتاشیت مرجع IR
• حداقل ترارسانایی مستقیم (Forward Transconductance): 19S
• زمان تأخیر روشن شدن (td(on)): معمولاً 12ns
• زمان افزایش جریان (Rise Time): معمولاً 60ns
• زمان تأخیر خاموش شدن (td(off)): معمولاً 44ns
• زمان کاهش جریان (Fall Time): معمولاً 45ns
• ظرفیت خازنی ورودی (Ciss): معمولاً 1470pF
• حداکثر دمای پیوند (TJ): 175°C
• محدوده دمای پیوند و نگهداری: 55°C- تا 175°C+
• مقاومت حرارتی پیوند به بدنه (RθJC): حداکثر 1.5°C/W 
• ساختار دیود داخلی: دارای دیود بدنه (Body Diode)

ویژگی‌ها

• مقاومت روشن پایین برای کاهش تلفات هدایت
• قابلیت سوئیچینگ بارهای DC با جریان بالا در شرایط خنک‌کاری مناسب
• کنترل هدایت از طریق ولتاژ گیت
• سرعت سوئیچینگ مناسب برای مدارات PWM
• دارای دیود داخلی بین سورس و درین
• امکان نصب هیت‌سینک روی پکیج TO-220
• مناسب برای مدارات قدرت و منابع تغذیه سوئیچینگ
• قابلیت کنترل بار با استفاده از درایور گیت مناسب

کاربردها

ماسفت IRFZ44N در مدارات الکترونیک قدرت برای قطع و وصل جریان و کنترل توان بارهای DC استفاده می‌شود. مقاومت روشن پایین و قابلیت تحمل جریان بالا، این ترانزیستور را برای کنترل موتورهای DC، ساخت درایورهای PWM، مبدل‌های ولتاژ و منابع تغذیه سوئیچینگ مناسب می‌سازد. در کاربردهای جریان بالا یا سوئیچینگ سریع، طراحی مناسب مدار درایور گیت و سیستم خنک‌کننده برای دستیابی به عملکرد پایدار ضروری است.

• کنترل دور موتورهای DC با PWM
• ساخت درایور موتور و بارهای DC
• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
• مبدل‌های DC-DC
• مدارات اینورتر و پل H
• کنترل روشنایی LEDهای توان بالا با درایور مناسب
• مدارات سوئیچینگ قدرت
• تجهیزات کنترلی و پروژه‌های الکترونیک قدرت