ماسفت IRFR120NTR پکیج TO-252

کد کالا: 2111001586

ترانزیستور MOSFET مدل IRFR120NTR یک ماسفت قدرت کانال N با ولتاژ شکست 100V، جریان 9.4A و مقاومت روشن 0.21Ω است که برای مدارهای سوئیچینگ، کنترل توان و مبدل‌های الکترونیکی استفاده می‌شود.

امتیاز کاربران
۰ رای‌دهنده
۰ دیدگاه
ارسال سریع به سراسر کشور
ارسال روزانه سفارش‌ها به تمامی نقاط ایران با امکان ارسال رایگان و روش‌های متنوع حمل
بسته‌بندی حرفه‌ای و ایمن
بسته‌بندی مناسب برای محافظت از قطعات الکترونیکی حساس در فرآیند حمل و جابه‌جایی
خرید مطمئن از ECA
ارائه کالاها با تضمین اصالت و پشتیبانی پس از فروش
190,000 ریال
موجود در انبار
موجود در انبار

IRFR120NTR یک ترانزیستور MOSFET قدرت کانال N است که با هدف استفاده در مدارهای سوئیچینگ و کاربردهای قدرت طراحی شده است. این ترانزیستور با بهره‌گیری از فناوری ساخت HEXFET، عملکرد مناسبی در کلیدزنی الکترونیکی و کنترل بارهای DC ارائه می‌دهد.پکیج TO-252 یا D-PAK این مدل، امکان نصب سطحی روی برد مدار چاپی را فراهم می‌کند و برای طراحی‌هایی که نیاز به اشغال فضای کمتر و مدیریت حرارت مناسب دارند، کاربردی است. مقاومت درین-سورس پایین در حالت روشن باعث کاهش تلفات توان هنگام عبور جریان می‌شود.این ماسفت دارای دیود داخلی Body Diode بوده و مشخصات Avalanche آن برای طراحی مدارهای سوئیچینگ در نظر گرفته شده است. ولتاژ کاری 100 V و جریان درین تا 9.4 A، آن را برای استفاده در مدارهای کنترل توان، منابع تغذیه و تجهیزات الکترونیکی مختلف مناسب می‌کند.


مشخصات فنی

  • نوع: ترانزیستور MOSFET کانال N
  • مدل: IRFR120NTR
  • خانواده: HEXFET Power MOSFET
  • پکیج: TO-252 (D-PAK)
  • نوع نصب: SMD
  • ولتاژ درین-سورس (VDS): 100 V
  • حداکثر جریان درین (ID): 9.4 A
  • حداکثر جریان درین در دمای 100 °C: 6.6 A
  • جریان پالسی درین (IDM): 38 A
  • مقاومت درین-سورس در حالت روشن (RDS(on)): 0.21 Ω
  • شرایط اندازه‌گیری RDS(on): VGS = 10 V
  • ولتاژ گیت-سورس (VGS): ±20 V
  • حداکثر توان تلفاتی (PD): 48 W
  • ولتاژ آستانه گیت (VGS(th)): 2 V تا 4 V
  • شارژ کل گیت (Qg): 25 nC
  • شارژ گیت-سورس (Qgs): 4.8 nC
  • شارژ گیت-درین (Qgd): 11 nC
  • ظرفیت ورودی (Ciss): 330 pF
  • ظرفیت خروجی (Coss): 92 pF
  • ظرفیت انتقال معکوس (Crss): 54 pF
  • زمان تأخیر روشن شدن (td(on)): 4.5 ns
  • زمان افزایش (tr): 23 ns
  • زمان تأخیر خاموش شدن (td(off)): 32 ns
  • زمان کاهش (tf): 23 ns
  • انرژی شکست تک پالسی (EAS): 91 mJ


ویژگی‌ها

ماسفت کانال N مناسب مدارهای سوئیچینگ
دارای دیود داخلی Body Diode
مقاومت روشن پایین برای کاهش تلفات توان
سرعت سوئیچینگ مناسب
پکیج TO-252 مناسب نصب سطحی
دارای مشخصات Avalanche برای افزایش قابلیت اطمینان مدار


کاربردها

ترانزیستور MOSFET مدل IRFR120NTR در مدارهایی که نیاز به کنترل و قطع‌و‌وصل جریان با سرعت بالا دارند استفاده می‌شود. این مدل برای مدارهای قدرت با ولتاژ متوسط، کنترل بارهای DC، منابع تغذیه و تجهیزات الکترونیکی که به سوئیچینگ قابل کنترل نیاز دارند، کاربرد دارد.

  • مدارهای سوئیچینگ قدرت
  • منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
  • مبدل‌های DC-DC
  • کنترل موتورهای DC
  • درایور بارهای الکترونیکی
  • مدارهای مدیریت توان

10 کالای مشابه
پرفروش‌های هفته
امتیاز شما

نظر خود را بنویسید

تجربه خود را از این کالا با دیگران به اشتراک بگذارید.

۰/۱۰۰۰
۰
امتیاز کلی
0 دیدگاه‌ها
    اولین فردی باشید که دیدگاهتان را ثبت میکنید
ماسفت IRFR120NTR پکیج TO-252

ماسفت IRFR120NTR پکیج TO-252

190,000 ریال
موجود در انبار
موجود در انبار