ماسفت IRF1407 یک ترانزیستور قدرت نوع N-Channel از نوع HEXFET با طراحی Stripe Planar است که با هدف ارائه عملکرد بسیار بالا در کاربردهای سوییچینگ و کنترل توان ساخته شده است. این ماسفت دارای جریان عبوری بالا تا 130A، ولتاژ کاری VDS برابر 75V و مقاومت در حالت روشن (RDS(on)) بسیار پایین 0.0078Ω است که موجب کاهش تلفات توان در بارهای سنگین می‌شود. ویژگی‌هایی مانند فرکانس کلیدزنی بالا، ظرفیت گیت نسبتاً پایین، قابلیت تحمل دمای بالا تا 175°C و توانایی عبور پالس‌های جریان شدید، آن را به گزینه‌ای ایده‌آل برای استفاده در درایورهای موتور، منابع تغذیه سوئیچینگ، اینورترها و تجهیزات صنعتی تبدیل کرده است.

مشخصات

• نوع ترانزیستور: ماسفت قدرت N-Channel
• مدل: IRF1407
• پکیج: TO-220 
• ولتاژ تخلیه به منبع: 75V
• حداکثر جریان عبوری مداوم (25°C): 130A
• حداکثر جریان عبوری مداوم (100°C): 92A
• حداکثر جریان لحظه‌ای : 520A
• حداکثر ولتاژ گیت به سورس : ±20V
• ولتاژ آستانه گیت : 2V تا 4V
• مقاومت در حالت روشن : 0.0078Ω در VGS = 10V و ID = 78A
• توان تلفاتی: 330W
• حداکثر دمای پیوند داخلی: 175°C
• ظرفیت ورودی گیت : 5600pF
• شارژ کل گیت: حداکثر 250nC در VGS = 10V
• زمان تأخیر روشن شدن : 11ns
• زمان افزایش جریان : 150ns
• زمان تأخیر خاموش شدن : 150ns
• زمان افت جریان : 140ns
• ولتاژ دیود داخلی در بایاس مستقیم: حداکثر 1.3V در IS = 78A
• زمان بازیابی معکوس دیود داخلی : 170ns

کاربردهای رایج

ماسفت IRF1407 به‌دلیل تحمل جریان بالا و مقاومت کم، در کاربردهای صنعتی و الکترونیکی سنگین کاربرد دارد:

• درایور موتورهای DC و براش‌لس صنعتی
• منابع تغذیه سوئیچینگ با جریان بالا
• اینورترهای توان بالا و UPS
• تقویت‌کننده‌های صوتی قدرت بالا
• سیستم‌های مدیریت باتری خودروهای برقی
• کنترل بارهای مقاومتی و القایی در مدارات صنعتی
• استفاده در درایوهای H-Bridge برای کنترل سرعت و جهت موتورها
• مدارهای PWM با فرکانس بالا
• سیستم‌های جوشکاری و تجهیزات با بارهای لحظه‌ای زیاد

Specification

Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Transistor Polarity: N-Channel
Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 75 V
Id - Continuous Drain Current: 130 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 7.8 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V
Qg - Gate Charge: 160 nC
Minimum Operating Temperature: -55°C
Maximum Operating Temperature: +175°C
Pd - Power Dissipation: 330 W
Channel Mode: Enhancement
Packaging: Tube
Brand: Infineon Technologies
Configuration: Single
Height: 15.65 mm
Length: 10 mm
Product Type: MOSFETs