ماسفت MTN2N60CFP یک قطعه قدرت از نوع N-Channel Enhancement Mode ساخت شرکت CYStek Electronics Corp. است که برای کنترل سوئیچینگ در مدارهای ولتاژ بالا با جریان متوسط طراحی شده است. این قطعه با استفاده از کنترل ولتاژ پایه Gate امکان قطع و وصل سریع مسیر Drain-Source را فراهم می‌کند و به دلیل ساختار MOSFET، جریان راه‌اندازی گیت بسیار پایینی دارد. این مدل با تحمل ولتاژ 600V برای استفاده در بخش‌های اولیه منابع تغذیه سوئیچینگ، مدارهای اصلاح ضریب توان و مبدل‌های توان مناسب است. مقاومت روشن‌شدن Drain-Source در این قطعه باعث می‌شود در طراحی‌هایی با جریان متوسط عملکرد مناسبی داشته باشد، اما برای کاربردهای جریان بالا باید میزان تلفات حرارتی بررسی شود. پکیج TO-220FP این ماسفت دارای بدنه کاملاً عایق الکتریکی است و برخلاف پکیج‌های معمولی TO-220، اتصال مستقیم قسمت پشتی قطعه به هیت‌سینک بدون نیاز به عایق اضافی امکان‌پذیر است. این ویژگی در تجهیزات قدرتی که چند قطعه روی یک هیت‌سینک مشترک نصب می‌شوند اهمیت زیادی دارد. MTN2N60CFP دارای دیود داخلی Body Diode بین Drain و Source است که در مدارهای دارای بارهای القایی یا مسیرهای جریان برگشتی نقش حفاظتی دارد. مشخصات سوئیچینگ مناسب، شارژ گیت پایین و قابلیت کار در دمای گسترده باعث شده این مدل در طراحی منابع تغذیه صنعتی و مصرفی مورد استفاده قرار گیرد.

مشخصات 

• برند: CYStek Electronics Corp.
• مدل: MTN2N60CFP
• نوع قطعه: Power MOSFET
• ساختار کانال: N-Channel Enhancement Mode
• پکیج: TO-220FP
• ولتاژ درین-سورس (VDS): 600V
• جریان درین پیوسته (ID): 2A در VGS=10V و TC=25°C
• جریان درین پیوسته (ID): 1.3A در TC=100°C
• جریان پالسی درین (IDM): 8A
• ولتاژ گیت-سورس (VGS): ±30V
• مقاومت روشن‌شدن (RDS(on)): مقدار تیپیک 3.2Ω
• حداکثر مقاومت روشن‌شدن (RDS(on)): 4.3Ω
• شرایط تست RDS(on): VGS=10V و ID=1A
• توان تلفاتی کل (PD): 23W
• دمای کاری پیوند (Tj): -55°C تا +150°C
• مقاومت حرارتی اتصال به بدنه (RθJC): 5.5°C/W
• مقاومت حرارتی اتصال به محیط (RθJA): 62.5°C/W
• ولتاژ عایقی پکیج: 2500VAC
• شارژ کل گیت (Qg): 8.7nC
• شارژ گیت-سورس (Qgs): 2.4nC
• شارژ گیت-درین (Qgd): 2.9nC
• تأخیر روشن‌شدن (td(on)): 7.6ns
• زمان افزایش (tr): 8.2ns
• تأخیر خاموش‌شدن (td(off)): 18ns
• زمان افت (tf): 10ns
• ظرفیت ورودی (Ciss): 298pF
• ظرفیت خروجی (Coss): 38pF
• ظرفیت انتقال معکوس (Crss): 13pF
• شرایط اندازه‌گیری ظرفیت‌ها: VGS=0V، VDS=25V، فرکانس 1MHz
• ولتاژ مستقیم دیود داخلی (VSD): حداکثر 1.5V
• جریان دیود داخلی (IS): 2A
• جریان پالسی دیود داخلی (ISM): 8A
• زمان بازیابی معکوس (trr): 294ns
• شارژ بازیابی معکوس (Qrr): 820nC
• ترتیب پایه‌ها: Gate، Drain، Source
• پایه 1: Gate
• پایه 2: Drain
• پایه 3: Source
• نوع پکیج: TO-220FP
• طول بدنه پکیج: حدود 28mm
• عرض بدنه پکیج: حدود 10mm
• فاصله پایه‌ها: 2.54mm

کاربردهای رایج 

MTN2N60CFP برای مدارهایی استفاده می‌شود که نیاز به تحمل ولتاژ بالا همراه با جریان متوسط دارند. ترکیب پکیج عایق، مشخصات سوئیچینگ مناسب و قابلیت کار در دمای گسترده، این قطعه را برای تجهیزات الکترونیکی قدرتی مصرفی و صنعتی مناسب کرده است.

• اصلاح ضریب توان (PFC)
• منابع تغذیه تلویزیون LCD
• مدارهای Full Bridge
• مدارهای Half Bridge
• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
• آداپتورهای AC/DC
• مبدل‌های توان ولتاژ بالا
• مدارهای سوئیچینگ صنعتی
• درایورهای توان متوسط
• تجهیزات الکترونیکی مصرفی