FS7SM-16A یک ترانزیستور MOSFET قدرت از نوع N-Channel ساخت Mitsubishi Electric Semiconductor است که برای کاربردهای High-Speed Switching طراحی شده است. این ترانزیستور با توان تحمل ولتاژ بالا، گزینهای مناسب برای بخش کلیدزنی در مدارهای قدرت مانند منابع تغذیه سوئیچینگ و مبدلهای انرژی است. ساختار MOSFET باعث میشود این ترانزیستور با سیگنال گیت کنترل شود و برای استفاده در مدارهای سوئیچینگ فرکانس بالا مناسب باشد. پکیج TO-3P امکان انتقال حرارت مناسب به هیتسینک را فراهم میکند و برای طراحیهایی که نیاز به تحمل توان تلفاتی بالا دارند کاربرد دارد. این مدل به دلیل مقاومت روشن نسبتاً بالا، بیشتر در مدارهایی که اولویت با تحمل ولتاژ بالا و عملکرد سوئیچینگ است استفاده میشود و برای کاربردهای جریان مستقیم با نیاز به افت ولتاژ کم انتخاب مناسبی نیست.
مشخصات
- نوع: ترانزیستور MOSFET قدرت
- کانال: N-Channel
- مدل: FS7SM-16A
- سازنده: Mitsubishi Electric Semiconductor
- کاربرد: High-Speed Switching
- پکیج: TO-3P
- تعداد پایه: 3
- ولتاژ درین-سورس (VDSS): 800V
- جریان درین پیوسته (ID): 7A
- جریان پالسی درین (IDM): 21A
- مقاومت روشن (RDS(on)): حداکثر 1.64Ω
- توان تلفاتی مجاز (PD): 150W
- ولتاژ گیت-سورس (VGSS): ±30V
- ولتاژ شکست درین-سورس (V(BR)DSS): حداقل 800V
- جریان نشتی درین (IDSS): حداکثر 1mA
- ولتاژ آستانه گیت (VGS(th)): 3 تا 5V
- ظرفیت ورودی (Ciss): 1380pF
- ظرفیت خروجی (Coss): 140pF
- ظرفیت انتقال معکوس (Crss): 28pF
- مقاومت حرارتی اتصال به بدنه (Rth(ch-c)): 0.83°C/W
- دمای کاری پیوند (Tch): -55°C تا +150°C
کاربردهای رایج
این ترانزیستور MOSFET قدرت در بخش کلیدزنی مدارهای الکترونیکی توان مورد استفاده قرار میگیرد. به دلیل تحمل ولتاژ بالا، در منابع تغذیه سوئیچینگ، مبدلهای توان و تجهیزات الکترونیکی که نیاز به کنترل بارهای ولتاژ بالا دارند کاربرد دارد.
- منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
- مبدلهای DC-DC
- شارژرهای باتری
- منابع تغذیه تجهیزات اداری مانند پرینتر و دستگاههای کپی
- تجهیزات الکترونیکی با مدارهای کلیدزنی توان
- مدارهای کنترل توان با ولتاژ بالا
