ماسفت MDF4N60B از سری ترانزیستورهای قدرت شرکت MAGNACHIP بوده و با فناوری Trench MOSFET تولید شده است. این فناوری موجب کاهش مقاومت حالت روشن (RDS(on))، افزایش راندمان و کاهش تلفات توان در مدارهای سوئیچینگ می‌شود. این قطعه با تحمل ولتاژ 600 ولت و جریان 4.6 آمپر، گزینه‌ای مناسب برای استفاده در منابع تغذیه سوئیچینگ، مدارهای اصلاح ضریب توان (PFC)، شارژرهای سوئیچینگ، اینورترها، مبدل‌های AC-DC و سایر تجهیزات الکترونیک قدرت است. همچنین پکیج کاملاً عایق TO-220FP امکان نصب آسان روی هیت‌سینک را بدون نیاز به عایق اضافی در بسیاری از کاربردها فراهم می‌کند.

مشخصات 

• برند: MAGNACHIP
• مدل: MDF4N60B
• نوع ترانزیستور: Power MOSFET
• نوع کانال: N-Channel
• فناوری ساخت: Trench MOSFET
• ولتاژ درین به سورس (VDS): 600V
• جریان درین (ID): 4.6A
• ولتاژ گیت به سورس (VGS): ±30V
• مقاومت روشن RDS(on): حداکثر 2Ω
• توان تلفاتی (PD): 35W
• حداکثر دمای پیوند (Tj): +150°C
• نوع نصب: Through Hole
• پکیج: TO-220FP

کاربردهای رایج

ماسفت MDF4N60B برای کلیدزنی توان در مدارهای ولتاژ بالا طراحی شده و در تجهیزات مختلف الکترونیک قدرت مورد استفاده قرار می‌گیرد.

• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
• مدارهای اصلاح ضریب توان (PFC)
• شارژرهای سوئیچینگ
• اینورتر
• مبدل‌های AC-DC
• مبدل‌های DC-DC
• منابع تغذیه تلویزیون و مانیتور
• تجهیزات صنعتی
• مدارهای سوئیچینگ قدرت