MOSFET مدل RFP50N06 یک ترانزیستور کانال N با مقاومت حالت روشن پایین و جریان‌دهی بالا است که برای کاربردهای قدرت متوسط و سوییچینگ سریع توسعه یافته است. با تحمل ولتاژ 60V و جریان 50A، این قطعه در مدارات تغذیه، سیستم‌های کنترلی و بارهای القایی عملکرد قابل‌اعتمادی ارائه می‌دهد. طراحی داخلی آن امکان کلیدزنی سریع با تلفات کم را فراهم کرده و مقاومت R_DS(on) نزدیک به 0.028 Ω در شرایط تست استاندارد، باعث کاهش حرارت و افزایش راندمان می‌شود. ترکیب توانایی مدیریت جریان بالا با ظرفیت ورودی کنترل‌شده، این MOSFET را برای کاربردهایی مانند منابع تغذیه سوییچینگ، درایو موتور، سیستم‌های اتوماسیون، مبدّل‌های DC-DC و سوییچینگ بارهای سنگین مناسب می‌کند. پکیج TO-220 نیز موجب تسهیل نصب، اتصال مناسب به هیت‌سینک و مدیریت حرارتی مطمئن می‌شود.

مشخصات

• ولتاژ درین-سورس (V_DS): مقدار 60 V
• ولتاژ مجاز گیت-سورس (V_GS): مقدار ±20 V
• جریان مداوم درین (I_D) در 25 °C: مقدار 50 A
• مقاومت حالت روشن R_DS(on) در V_GS = 10 V و I_D = 25 A: مقدار typ برابر 0.028 Ω
• توان اتلاف مجاز (P_D) در 25 °C: مقدار 120 W
• جریان نشتی در حالت خاموش (I_DSS) در V_DS = 60 V: مقدار max برابر 25 µA
• ظرفیت ورودی (C_iss): مقدار typ برابر 1800 pF
• ولتاژ آستانه گیت (V_GS(th)) در I_D = 250 µA: بین 2.0 تا 4.0 V
• دمای کاری پیوسته (T_j): از ‎−55 °C تا ‎+175 °C
• نوع پکیج: TO-220 سه پایه

کاربردهای رایج

این ترانزیستور برای سوییچینگ جریان بالا، کنترل بارهای مقاومتی و القایی و کاربردهای صنعتی با توان متوسط بسیار مناسب است. راندمان بالا، مقاومت کم و قابلیت کلیدزنی سریع آن را به گزینه‌ای عالی برای منابع تغذیه، درایو موتور و سیستم‌های قدرت تبدیل می‌کند.

• مبدل‌های DC-DC توان متوسط
• منابع تغذیه سوییچینگ (SMPS)
• کنترل دور موتورهای DC
• سوییچینگ رله‌ها و بارهای القایی
• سیستم‌های اتوماسیون صنعتی
• کنترل بار LEDهای توان بالا
• تجهیزات خودرو (12 V و 24 V)
• مدارهای فرمان و کنترل توان
• درایو پمپ‌ها و فن‌ها
• تجهیزات آزمایشگاهی توان متوسط

Specifications

• Drain-source voltage (V_DS): 60 V
• Gate-source voltage (V_GS): ±20 V
• Continuous drain current (I_D) at 25 °C: 50 A
• On-state resistance R_DS(on) at V_GS = 10 V and I_D = 25 A: 0.028 Ω typ
• Power dissipation (P_D) at 25 °C: 120 W
• Off-state leakage current (I_DSS) at V_DS = 60 V: 25 µA max
• Input capacitance (C_iss): 1800 pF typ
• Gate threshold voltage (V_GS(th)) at I_D = 250 µA: 2.0 to 4.0 V
• Continuous operating temperature (T_j): −55 °C to +175 °C
• Package Type: TO-220 Three-Pin