ماسفت SI2300 از نوع N-Channel و مبتنی بر تکنولوژی TrenchFET است که برای کاربردهای پرتابل مانند مبدل‌های DC/DC، کلیدهای بار و تقویت‌کننده‌ها طراحی شده است. این ماسفت با داشتن مقاومت بسیار پایین در حالت روشن (حدود 0.055Ω در 4.5V) و ظرفیت بار گیت پایین، سرعت کلیدزنی بالایی دارد و مصرف توان کمی ایجاد می‌کند. پکیج SOT-23 آن مناسب برای مونتاژ سطحی (SMD) است و فضای کمی روی برد اشغال می‌کند. توانایی عبور جریان تا 3.6 آمپر و ولتاژ تخلیه-مبدأ 30 ولت از جمله ویژگی‌های برجسته این قطعه هستند که آن را برای مدارهای تغذیه، باتری و مدیریت توان ایده‌آل می‌سازد.

مشخصات

• نوع قطعه: N-Channel MOSFET
• پکیج: SOT-23 (3 پایه)
• ولتاژ تخلیه-مبدأ (VDS): 30V
• ولتاژ گیت-مبدأ (VGS): ±12V
• جریان تخلیه مداوم در 25°C (ID): تا 3.6A
• جریان تخلیه لحظه‌ای (IDM): تا 15A
• مقاومت روشن (RDS(on)) در VGS=4.5V: حداکثر 0.068Ω
• مقاومت روشن (RDS(on)) در VGS=2.5V: حداکثر 0.085Ω
• بار کل گیت (Qg): حدود 3nC در 4.5V و 6.5nC در 10V
• ظرفیت ورودی (Ciss): حدود 320pF
• ولتاژ آستانه گیت (VGS(th)): بین 0.6V تا 1.5V
• توان مصرفی (PD) در 25°C: 1.1W
• مقاومت حرارتی اتصال به محیط (RθJA): حداکثر 115°C/W
• فرکانس کلیدزنی: مناسب برای فرکانس‌های بالا (تا صدها کیلوهرتز)
• ولتاژ دیود بدنه (VSD): حداکثر 1.2V در جریان 2.5A
• زمان بازیابی معکوس دیود بدنه (trr): حداکثر 20ns
• دمای کاری: از -55°C تا +150°C

کاربردهای رایج

ماسفت SI2300 به‌دلیل سرعت کلیدزنی بالا، اندازه کوچک و مقاومت روشن پایین، انتخابی مناسب برای تجهیزات پرتابل و سیستم‌های تغذیه الکترونیکی است. این قطعه در کاربردهای مرتبط با مدیریت توان و سوئیچینگ بهینه‌سازی مصرف انرژی استفاده می‌شود.

• کلیدهای بار (Load Switch) در تجهیزات قابل حمل
• مبدل‌های DC-DC ولتاژ پایین
• کنترل توان در ماژول‌های بلوتوث، وای‌فای یا GSM
• مدارهای شارژ باتری‌های لیتیوم‌یونی
• درایورهای LED کم‌مصرف
• سیستم‌های پاور مدیریت مبتنی بر میکروکنترلر
• سوئیچینگ رله‌های الکترونیکی کوچک
• مدارهای قطع خودکار ولتاژ پایین
• حفاظت معکوس پل‌های ورودی
• پروژه‌های کم‌فضای مبتنی بر SMD

Specification

 Type Designator: SI2300
Marking Code: P2
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 1.1 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 30 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 12 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 1.5 V
Maximum Drain Current |Id|: 3.1 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Rise Time (tr): 15 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 45 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.068 Ohm
Package: SOT-23