ترانزیستور IGBT مدل TGAN80N60F2DS

کد کالا: 2111002292

ترانزیستور IGBT مدل TGAN80N60F2DS یک قطعه نیمه‌هادی قدرت برای سوئیچینگ جریان‌های بالا در مدارهای توان است. این قطعه با تحمل ولتاژ 600V و جریان کلکتور بالا، در طراحی مبدل‌های قدرت، اینورترها و تجهیزات الکترونیکی توان مورد استفاده قرار می‌گیرد و برای کنترل بارهای پرتوان با سرعت سوئیچینگ مناسب به کار می‌رود.

5.0

امتیاز کاربران

1 رای‌دهنده ۰ دیدگاه

ارسال سریع به سراسر کشور

ارسال روزانه سفارش‌ها به تمامی نقاط ایران با امکان ارسال رایگان و روش‌های متنوع حمل

بسته‌بندی حرفه‌ای و ایمن

بسته‌بندی مناسب برای محافظت از قطعات الکترونیکی حساس در فرآیند حمل و جابه‌جایی

خرید مطمئن از ECA

ارائه کالاها با تضمین اصالت و پشتیبانی پس از فروش

3,500,000 ریال

موجود در انبار

توضیحات
مشخصات

IGBT مدل TGAN80N60F2DS ترکیبی از ویژگی‌های ترانزیستور MOSFET و ترانزیستور دوقطبی قدرت است که برای کاربردهای سوئیچینگ توان طراحی شده است. این ساختار امکان کنترل آسان از سمت گیت و عبور جریان‌های بالا بین کلکتور و امیتر را فراهم می‌کند. این قطعه در مدارهای مبدل توان، منابع تغذیه سوئیچینگ، درایو موتور و سیستم‌های تبدیل انرژی به عنوان کلید الکترونیکی عمل می‌کند. پکیج قدرت این IGBT امکان انتقال حرارت مناسب به هیت‌سینک را فراهم کرده و برای کاربردهایی که نیاز به مدیریت توان بالا دارند مناسب است.

مشخصات

نوع محصول: ترانزیستور IGBT قدرت
مدل: TGAN80N60F2DS
نوع قطعه: IGBT کانال N
ولتاژ کلکتور-امیتر: 600V
جریان کلکتور: 160A
نوع پکیج: TO-247
تعداد پایه: 3 پایه
نوع نصب: Through Hole
پایه‌ها: Gate ، Collector ، Emitter
دمای کاری: -55°C تا 150°C

کاربردهای رایج

این IGBT در بخش‌هایی از الکترونیک قدرت استفاده می‌شود که نیاز به کنترل جریان‌های بالا و قطع و وصل سریع مسیر توان وجود دارد. انتخاب صحیح درایور گیت، سیستم خنک‌کاری و شرایط کاری مدار برای بهره‌برداری مناسب از این قطعه اهمیت دارد.