FGH60N60 یک ترانزیستور IGBT تک‌کاناله مبتنی بر فناوری Si است که برای کاربردهای سوئیچینگ توان بالا طراحی شده است. این قطعه با ولتاژ کلکتور-امیتر 600 ولت و جریان کلکتور پیوسته 60 آمپر در دمای 25 درجه سانتی‌گراد، گزینه‌ای مناسب برای اینورترها، منابع تغذیه سوئیچینگ و درایو موتور محسوب می‌شود. ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 1.9 ولت موجب کاهش تلفات هدایتی در حالت روشن می‌شود و توان اتلافی 600 وات امکان کار در توان‌های بالا را فراهم می‌کند. محدوده ولتاژ گیت-امیتر 20± ولت انعطاف مناسبی برای طراحی مدار درایور گیت ایجاد می‌کند. بازه دمای کاری 55- تا 175+ درجه سانتی‌گراد نشان‌دهنده تحمل حرارتی بالا در شرایط صنعتی است. پکیج TO-247 با قابلیت نصب Through Hole، دفع حرارت مناسب و اتصال به هیت‌سینک را تسهیل کرده و برای طراحی‌های توان بالا بسیار متداول است.

مشخصات

• فناوری ساخت: Si
• نوع قطعه: IGBT تک‌کاناله
• حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر VCEO: 600 ولت
• جریان کلکتور پیوسته در 25 درجه سانتی‌گراد: 60 آمپر
• ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر: 1.9 ولت
• حداکثر ولتاژ گیت-امیتر: 20- تا 20+ ولت
• توان اتلافی: 600 وات
• حداقل دمای کاری: 55- درجه سانتی‌گراد
• حداکثر دمای کاری: 175+ درجه سانتی‌گراد
• نوع نصب: Through Hole
• پکیج: TO-247

کاربردهای رایج

این IGBT برای سوئیچینگ توان بالا در مدارهای صنعتی طراحی شده و امکان کنترل بارهای ولتاژ بالا و جریان زیاد را با تلفات مناسب فراهم می‌کند. استفاده از آن در طراحی‌های قدرت باعث افزایش راندمان و پایداری سیستم می‌شود.

• اینورترهای صنعتی
• درایو موتورهای AC و DC
• منابع تغذیه سوئیچینگ توان بالا
• مدارهای UPS
• سیستم‌های جوشکاری اینورتر
• کنترل‌کننده‌های توان صنعتی
• مبدل‌های DC به AC
• مدارهای PFC
• تجهیزات انرژی تجدیدپذیر
• مدارهای سوئیچینگ فرکانس بالا

Specification

Product Category: IGBT Transistors
Technology: Si
Package/Case: TO-247
Mounting Style: Through Hole
Configuration: Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.9 V
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C: 60 A
Pd - Power Dissipation: 600 W
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 175 C