ترانزیستور GT30F131 از نوع IGBT با فناوری نسل ششم بوده و به‌منظور دستیابی به سرعت سوئیچینگ بالا و کاهش تلفات رسانشی بهینه‌سازی شده است. این قطعه از ترکیب ساختار MOSFET و ترانزیستور دوقطبی برای دستیابی به ولتاژ شکست بالا و جریان زیاد بهره می‌برد. ویژگی مهم آن ولتاژ اشباع پایین (VCE(sat)) برابر با 1.9 V در جریان 120 A است که باعث کاهش چشمگیر تلفات حرارتی در بارهای سنگین می‌شود. همچنین با تحمل جریان لحظه‌ای تا 200 A و توان تلفاتی 26 W در دمای 25°C، عملکرد پایدار در مدارهای سوئیچینگ با چگالی توان بالا را تضمین می‌کند. این مدل در پکیج سطحی TO-263 عرضه شده و برای مونتاژ SMD مناسب است.

مشخصات

• ولتاژ کلکتور–امیتر (VCES): 360 V
• جریان کلکتور پیک (Icp): 200 A
• ولتاژ اشباع کلکتور–امیتر (VCE(sat)): 1.9 V @ IC = 120 A
• توان تلفاتی (PC): 26 W @ Tc = 25°C
• نسل فناوری: نسل 6
• نوع پکیج: TO-263 (مشابه TO-220SM(MXN))
• دمای کاری پیوسته: تا 150°C

کاربردهای رایج

ترانزیستور GT30F131 در کاربردهایی که نیاز به سوئیچینگ سریع و جریان بالا دارند مورد استفاده قرار می‌گیرد، به‌ویژه در مدارهای منبع تغذیه تلویزیون‌های پلاسما، ماژول‌های درایور، و مبدل‌های توان با فرکانس متوسط.

• پلاسما دیسپلی (PDP)
• منابع تغذیه سوئیچینگ
• درایور ولتاژ بالا
• مبدل‌های DC-DC صنعتی
• اینورترهای ولتاژ متوسط
• سیستم‌های روشنایی پرقدرت
• تجهیزات تست صنعتی
• درایو کنترل توان برای لامپ‌های گازی
• سیستم‌های بازیابی انرژی در پنل‌های PDP
• منابع تغذیه رزونانسی

Specification 

Type Designator: GT30F131
Type: IGBT
Type of IGBT Channel: N-Channel
Maximum Power Dissipation (Pc), W: 140
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 360
Maximum Collector Current |Ic| @25℃, A: 200(pulse)
Collector-Emitter saturation Voltage |VCE(sat)|, typ, V: 1.9