ترانزیستور FGA25N120 IGBT پکیج TO-3PN
zoom_out_map
chevron_left chevron_right

ترانزیستور FGA25N120 IGBT پکیج TO-3PN

2111002215

ترانزیستور FGA25N120 یک IGBT توان بالا با ولتاژ ‎1200V‎ و جریان ‎25A‎  بر پایه فناوری NPT Trench برای کاربردهای فرکانس متوسط مانند درایور موتور و گرمایش القایی

0
840,000 ریال

ترانزیستور FGA25N120 از نوع IGBT NPT Trench بوده و ترکیبی از ویژگی‌های ترانزیستور MOSFET و BJT را ارائه می‌دهد تا راندمان بالا و توان سوئیچینگ زیاد را همزمان فراهم کند. این مدل دارای ولتاژ کلکتور–امیتر ‎1200V‎ و جریان پیوسته ‎25A‎ بوده و قابلیت تحمل جریان لحظه‌ای تا ‎90A‎ را دارد. افت ولتاژ اشباع پایین ‎(VCEsat≈2.0V)‎ در جریان ‎25A‎ و دمای ‎25°C‎ موجب کاهش تلفات توان و افزایش راندمان سیستم می‌شود. از دیگر ویژگی‌های مهم این قطعه، اتلاف سوئیچینگ پایین (Eoff≈0.96mJ)، تحمل حرارتی بالا، و توان تلفاتی کل ‎312W‎ در دمای ‎25°C‎ است. وجود دیود هرزگرد داخلی (Freewheeling Diode) با زمان بازیابی معکوس ‎trr≈235ns‎ و بار بازیابی ‎Qrr≈3130nC‎ باعث عملکرد مطمئن در مدارهای القایی و سوئیچینگ نرم می‌گردد. بدنه‌ی پکیج TO-3PN (EIAJ SC-65) امکان نصب بر روی هیت‌سینک و دفع مؤثر حرارت را فراهم می‌کند.


مشخصات

  • سری: FGA25N120
  • نوع ترانزیستور: NPT Trench IGBT
  • قطبیت: N-channel
  • ولتاژ کلکتور–امیتر (VCES): ‎1200V‎
  • ولتاژ گیت–امیتر (VGES): ‎±20V‎
  • جریان کلکتور (TC=25°C): ‎50A‎
  • جریان کلکتور (TC=100°C): ‎25A‎
  • جریان پالس کلکتور (ICM): ‎90A‎
  • توان تلفاتی کل (PD): ‎312W‎ در ‎TC=25°C‎
  • ولتاژ اشباع کلکتور–امیتر (VCEsat): ‎2.0V‎ typ @ ‎IC=25A, TC=25°C‎
  • افت ولتاژ دیود (VFM): ‎2.0–3.0V‎
  • زمان تأخیر روشن (td(on)): ‎50ns‎
  • زمان خاموشی (td(off)): ‎190ns‎
  • دمای کاری: ‎-55°C‎ تا ‎+150°C‎
  • مقاومت حرارتی اتصال به بدنه (RthJC): ‎0.4°C/W‎


کاربردهای رایج

ترانزیستور FGA25N120 به دلیل راندمان بالا و تحمل حرارتی مناسب، در مدارهای قدرت و کنترل صنعتی مورد استفاده قرار می‌گیرد و عملکردی پایدار در سوئیچینگ فرکانس متوسط ارائه می‌دهد.

  • درایور موتورهای DC و AC
  • مدارات گرمایش القایی (Induction Heating)
  • تغذیه‌های سوئیچینگ (SMPS)
  • اینورترهای صنعتی و UPS
  • مدارات کنترل ولتاژ و توان
  • میکروویو صنعتی و سیستم‌های RF
  • منابع تغذیه رزونانسی و تطبیقی

Specification

Product Category: IGBT Transistors
Technology: Si
Package/Case: TO-3PN
Mounting Style: Through Hole
Configuration: Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2 V
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C: 25 A
Pd - Power Dissipation: 312 W
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 175 C


 



  • محمد یزدان خواه | 1 سال پیش

    با سلام در توضیحات محصول متن انگلیسی گفته 50 آمپر ولی در عنوانش شما زدین 1200 ولت 25 آمپر؟

    0
    0
    پاسخ | گزارش
    • پشتیبانی | 1 سال پیش
      محمد یزدان خواه

      توضیحات کالا اصلاح شد .با تشکر از حسن توجه شما

      0
      0
      پاسخ | گزارش
ترانزیستور FGA25N120 IGBT پکیج TO-3PN

ترانزیستور FGA25N120 IGBT پکیج TO-3PN

840,000 ریال