ترانزیستور G80N60UFD IGBT پکیج TO-3PN
zoom_out_map
chevron_left chevron_right

ترانزیستور G80N60UFD IGBT پکیج TO-3PN

2111002214

ترانزیستور IGBT سیلیکونی 600 ولت 80 آمپر با توان اتلافی 195 وات و پکیج Through Hole مدل TO-3PN.

5
(امتیاز 2 رأی‌دهنده)
2,050,000 ریال

G80N60UFD یک ترانزیستور IGBT تک‌کاناله مبتنی بر فناوری Si است که برای کاربردهای سوئیچینگ توان بالا و فرکانس متوسط طراحی شده است. این قطعه با ولتاژ کلکتور-امیتر 600 ولت و جریان کلکتور پیوسته 80 آمپر در دمای 25 درجه سانتی‌گراد، توانایی راه‌اندازی بارهای سنگین در سیستم‌های صنعتی و منابع تغذیه را دارد. ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 2.1 ولت نشان‌دهنده تلفات هدایتی کنترل‌شده در حالت روشن است. محدوده ولتاژ گیت-امیتر 20± ولت انعطاف لازم برای طراحی مدار درایور گیت استاندارد را فراهم می‌کند. توان اتلافی 195 وات همراه با بازه دمای کاری 55- تا 175+ درجه سانتی‌گراد، این قطعه را برای شرایط کاری سخت و محیط‌های صنعتی مناسب می‌سازد. پکیج TO-3PN از نوع Through Hole بوده و امکان نصب روی هیت‌سینک برای دفع مؤثر حرارت را فراهم می‌کند، که در طراحی مبدل‌های قدرت و اینورترها اهمیت بالایی دارد.


مشخصات

  • فناوری ساخت: Si
  • نوع قطعه: IGBT تک‌کاناله
  • حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر VCEO: 600 ولت
  • جریان کلکتور پیوسته در 25 درجه سانتی‌گراد: 80 آمپر
  • ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر: 2.1 ولت
  • حداکثر ولتاژ گیت-امیتر: 20- تا 20+ ولت
  • توان اتلافی: 195 وات
  • حداقل دمای کاری: 55- درجه سانتی‌گراد
  • حداکثر دمای کاری: 175+ درجه سانتی‌گراد
  • نوع نصب: Through Hole
  • پکیج: TO-3PN


کاربردهای رایج

این IGBT برای سوئیچینگ بارهای جریان بالا در مدارهای قدرت طراحی شده و در سیستم‌هایی که نیاز به تحمل جریان 80 آمپر دارند، عملکرد پایدار و قابل‌اعتمادی ارائه می‌دهد. استفاده صحیح همراه با هیت‌سینک مناسب موجب افزایش طول عمر و راندمان مدار خواهد شد.

  • اینورترهای جوشکاری
  • درایو موتورهای صنعتی
  • منابع تغذیه سوئیچینگ قدرت بالا
  • سیستم‌های UPS
  • مبدل‌های DC به AC
  • کنترل‌کننده‌های توان صنعتی
  • مدارهای اصلاح ضریب توان PFC
  • تجهیزات انرژی خورشیدی
  • سیستم‌های القایی گرمایشی
  • مدارهای سوئیچینگ نیم‌پل و فول‌پل

Specification

Product Category: IGBT Transistors
Technology: Si
Package/Case: TO-247
Mounting Style: Through Hole
Configuration: Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.1 V
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C: 80 A
Pd - Power Dissipation: 195 W
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 175 C


 



امتیاز شما

5
(امتیاز 2 رأی‌دهنده)
  • جعفر رحیمی | 2 سال پیش

    سلام وقت بخیر آیا می توان این ترانزیستور را به جای 80nf70 استفاده کرد ممنونم که اعلام کنید

    0
    0
    پاسخ | گزارش
    • پشتیبانی | 2 سال پیش
      جعفر رحیمی

      سلام بسته به شرایط استفاده کاربر متغیر بوده و نمیتوان در این مورد نظر داد.

      0
      0
      پاسخ | گزارش
  • Mobin Yaghobi | 2 سال پیش

    ابعاد ترانزیستور چقدر است؟

    0
    0
    پاسخ | گزارش
    • پشتیبانی | 2 سال پیش
      Mobin Yaghobi

      سلام


      ابعاد استاندارد پکیج TO-3PN می باشد برای راهنمایی دقیق تر صفحه 8 دیتاشیت را مطالعه نمایید 

      0
      0
      پاسخ | گزارش
ترانزیستور G80N60UFD IGBT پکیج TO-3PN

ترانزیستور G80N60UFD IGBT پکیج TO-3PN

2,050,000 ریال