ترانزیستور G80N60UFD IGBT پکیج TO-3PN
Specification
Type of Transistor: IGBT
Marking Code: 40G120VD
Type Designator: FGW40N120VD(40G120VD)
Type of IGBT Channel: N-Channel
Maximum Collector Power Dissipation: 340
Maximum Collector-Emitter Voltage: 1200
Maximum Gate-Emitter Voltage: 20
Collector-Emitter saturation Voltage: 1.85
Maximum Collector Current: 40
Maximum Operating Junction Temperature: 175
Collector Capacitance: 135
Rise Time: 75
Package: TO247
16 محصول مشابه
امتیاز شما
اولین نظر را ثبت کنید
این کالا را با دوستان خود به اشتراک بگذارید