مشخصات

• نوع قطعه: IGBT تک‌گیت (Single IGBT)
• ولتاژ شکست کلکتور-امیتر (Vces): 600V
• جریان کلکتور (Ic): 110A
• افت ولتاژ در حالت روشن (Vce(on)): 2.7V @ 15V, 40A
• توان تلفاتی: 298W
• جریان نشتی کلکتور (Icex): حداکثر 250µA
• ورودی: Standard
• نوع ترمیستور داخلی: ندارد (No NTC)
• دمای کاری پیوند (Tj): -55°C تا +150°C
• نوع پکیج: TO-247

کاربردهای رایج

ترانزیستور IGBT مدل HGT1N40N60 برای مدارهایی که نیاز به سوئیچینگ سریع و تحمل جریان بالا دارند طراحی شده است. این ویژگی‌ها آن را برای سیستم‌های قدرت و الکترونیک صنعتی ایده‌آل می‌کند.

• اینورترها و مبدل‌های DC/AC
• درایو موتورهای سه‌فاز و سروو موتور
• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
• سیستم‌های جوشکاری و UPS
• مبدل‌های DC-DC با توان بالا
• کنترل دور موتورهای القایی و DC
• تجهیزات قدرت صنعتی و انرژی تجدیدپذیر

Specification

Mfr: ON Semiconductor
Configuration: Single
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Input: Standard
NTC Thermistor: No
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Collector-Emitter Breakdown (Max): 600V
Current - Collector (Ic) (Max): 110A
Power - Max: 298W
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA