TSM2NB60 از سری ماسفت‌های قدرت شرکت Taiwan Semiconductor بوده و با فناوری Planar MOSFET تولید شده است. این فناوری موجب بهبود عملکرد سوئیچینگ، کاهش تلفات توان و افزایش قابلیت تحمل انرژی آوالانچ در مدارهای قدرت می‌شود.  این ماسفت با تحمل ولتاژ 600 ولت و جریان 2 آمپر، گزینه‌ای مناسب برای منابع تغذیه سوئیچینگ، درایورهای LED، شارژرها، منابع تغذیه تلویزیون، آداپتورها و سایر تجهیزات الکترونیکی متصل به برق شهر است. پکیج TO-251 نیز علاوه بر ابعاد کوچک، قابلیت دفع حرارت مناسبی را برای نصب روی PCB فراهم می‌کند.

مشخصات 

• مدل: TSM2NB60
• نوع ترانزیستور: Power MOSFET
• نوع کانال: N-Channel
• ولتاژ درین به سورس (VDS): 600V
• حداکثر جریان درین (ID): 2A
• ولتاژ گیت به سورس (VGS): ±30V
• ولتاژ آستانه گیت (VGS(th)): حداکثر 4.5V
• مقاومت روشن RDS(on): حداکثر 4.4Ω
• توان تلفاتی (PD): 44W
• بار کل گیت (Qg): 9.4nC
• ظرفیت خروجی (Coss): 30.7pF
• ظرفیت ورودی (Ciss): 249pF
• زمان افزایش (Rise Time): 9.8ns
• حداکثر دمای پیوند (Tj): +150°C
• نوع نصب: Through Hole
• پکیج: TO-251 (IPAK)

کاربردهای رایج 

ماسفت TSM2NB60 برای کلیدزنی در مدارهای متصل به برق شهر و منابع تغذیه سوئیچینگ طراحی شده و در بسیاری از تجهیزات الکترونیکی مورد استفاده قرار می‌گیرد.

• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
• درایور LED
• شارژرهای سوئیچینگ
• مبدل‌های AC-DC
• منابع تغذیه تلویزیون و مانیتور
• آداپتورهای سوئیچینگ
• تجهیزات صنعتی
• لوازم خانگی
• مدارهای سوئیچینگ قدرت