ماسفت IRF540 از محصولات شرکت Vishay Siliconix بوده و به عنوان یکی از ماسفت‌های پرکاربرد در مدارهای قدرت و سیستم‌های سوئیچینگ شناخته می‌شود. این ماسفت با ساختار N-Channel Enhancement Type و طراحی نسل سوم MOSFET، ترکیبی از مقاومت روشن پایین، سرعت سوئیچ بالا و پایداری حرارتی تا دمای 175°C را ارائه می‌دهد. توانایی تحمل جریان پیوسته تا 28 آمپر و توان تلفاتی تا 150 وات در دمای 25°C، آن را برای کاربردهای منبع تغذیه سوئیچینگ، درایور موتور، اینورتر و کنترل PWM بسیار مناسب می‌سازد. همچنین این قطعه از ویژگی‌هایی مانند «Repetitive avalanche rating» برای تحمل اضافه‌ولتاژهای لحظه‌ای و «Fast switching» برای پاسخ سریع در مدارهای فرکانس بالا برخوردار است. پکیج TO-220 نیز باعث شده این ماسفت به‌راحتی در مدارهای صنعتی و آموزشی قابل نصب روی هیت‌سینک باشد.

مشخصات

• نوع ترانزیستور: N-Channel Power MOSFET
• ولتاژ درین-سورس (VDS): 100V
• ولتاژ گیت-سورس (VGS): ±20V
• جریان پیوسته درین (ID): 28A در دمای 25°C
• جریان پالس درین (IDM): 110A
• مقاومت روشن (RDS(on)): 0.077Ω در VGS=10V
• توان تلفاتی کل (PD): 150W
• دمای کاری: منفی 55 تا مثبت 175°C
• بار گیت کل (Qg): 72nC
• ولتاژ هدایت دیود بدنه (VSD): حدود 2.5V در IS=28A
• بسته‌بندی: TO-220AB

کاربردهای رایج

ماسفت IRF540 به‌دلیل ترکیب توان بالا و سرعت سوئیچ مناسب، در مدارهای قدرت صنعتی، منبع تغذیه سوئیچینگ، اینورترهای DC-AC، درایور موتور، و سیستم‌های کنترل سرعت به‌صورت گسترده مورد استفاده قرار می‌گیرد.

• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
• درایور موتورهای DC و BLDC
• مدارهای PWM و کنترل توان
• اینورترها و مبدل‌های ولتاژ
• مدارهای تقویت‌کننده صوتی قدرت
• سیستم‌های حفاظتی و بارهای القایی
• مدارهای LED پرتوان و نورپردازی صنعتی
• بردهای آموزشی و پروژه‌های دانشگاهی

Specification

Mounting Style: Through Hole     
Package / Case:  TO-220-3     
Number of Channels: 1 Channel     
Transistor Polarity: N-Channel     
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V     
Id - Continuous Drain Current: 28 A     
Rds On - Drain-Source Resistance: 77 mOhms     
Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V     
Maximum Operating Temperature: + 175 C     
Fall Time: 43 ns     
Height: 9.01 mm     
Length: 10.51 mm     
Minimum Operating Temperature: - 55 C     
Pd - Power Dissipation: 150 W     
Rise Time: 44 ns     
Factory Pack Quantity: 1000     
Transistor Type: 1 N-Channel     
Typical Turn-Off Delay Time: 53 ns     
Typical Turn-On Delay Time: 11 ns