ماسفت قدرت MTN9N65B نوع N-Channel تایوانی مارک CYStek پکیج TO-220FP

کد کالا: 2111001220

ماسفت قدرت MTN9N65B یک ترانزیستور اثر میدان قدرت کانال N با ولتاژ 650V، جریان 8.5A و پکیج ایزوله TO-220FP مناسب مدارهای سوئیچینگ توان بالا است.

—

امتیاز کاربران

۰ رای‌دهنده ۰ دیدگاه

ارسال سریع به سراسر کشور

ارسال روزانه سفارش‌ها به تمامی نقاط ایران با امکان ارسال رایگان و روش‌های متنوع حمل

بسته‌بندی حرفه‌ای و ایمن

بسته‌بندی مناسب برای محافظت از قطعات الکترونیکی حساس در فرآیند حمل و جابه‌جایی

خرید مطمئن از ECA

ارائه کالاها با تضمین اصالت و پشتیبانی پس از فروش

1,020,000 ریال

موجود در انبار

توضیحات
مشخصات

ماسفت MTN9N65B از نوع Enhancement Mode N-Channel MOSFET ساخت شرکت CYStek Electronics است که برای کاربردهای الکترونیک قدرت و مدارهای سوئیچینگ با ولتاژ بالا طراحی شده است. این قطعه با قابلیت تحمل ولتاژ درین-سورس 650V، امکان استفاده در مدارهایی را فراهم می‌کند که در آن‌ها کنترل توان، بازده مناسب و عملکرد پایدار اهمیت دارد. ساختار MOSFET این قطعه باعث می‌شود جریان عبوری بین پایه‌های Drain و Source توسط ولتاژ اعمال‌شده به پایه Gate کنترل شود. این ویژگی امکان استفاده از آن به‌عنوان کلید الکترونیکی سریع در مدارهای تبدیل انرژی، منابع تغذیه و تجهیزات صنعتی را فراهم می‌کند. MTN9N65B دارای قابلیت تحمل شرایط آوالانچ بوده و به دلیل مشخصات سوئیچینگ مناسب، در مدارهایی که با پالس‌های ولتاژ و جریان کار می‌کنند مورد استفاده قرار می‌گیرد. وجود دیود داخلی Body Diode نیز امکان استفاده بهتر در برخی توپولوژی‌های سوئیچینگ را فراهم می‌سازد. این ماسفت در پکیج TO-220FP عرضه شده که دارای بدنه عایق الکتریکی است و نصب آن روی هیت‌سینک‌های مشترک را ساده‌تر می‌کند. این ویژگی در تجهیزات قدرت که نیاز به مدیریت حرارتی و ایزولاسیون مکانیکی دارند، اهمیت زیادی دارد.

مشخصات

مدل: MTN9N65B
نوع قطعه: ماسفت قدرت (Power MOSFET)
نوع کانال: N-Channel
ساختار: Enhancement Mode
سازنده: CYStek Electronics
پکیج: TO-220FP
ولتاژ درین-سورس (VDS): 650V
ولتاژ گیت-سورس (VGS): ±30V
جریان درین پیوسته در TC=25°C: 8.5A
جریان درین پیوسته در TC=100°C: 5.4A
جریان پالسی درین (IDM): 34A
جریان آوالانچ تک پالس (IAS): 8.5A
انرژی آوالانچ تک پالس (EAS): 180mJ
انرژی آوالانچ تکراری (EAR): 5mJ
توان تلفاتی (PD): 50W
ضریب کاهش توان: 0.4W/°C
دمای کاری اتصال: -55°C تا +150°C
قابلیت Avalanche: دارد
دیود داخلی Body Diode: دارد
نوع نصب: Through Hole

کاربردهای رایج

ماسفت MTN9N65B برای طراحی و تعمیر مدارهای الکترونیکی قدرت که نیاز به تحمل ولتاژ بالا و کلیدزنی مطمئن دارند استفاده می‌شود. این قطعه با پکیج ایزوله و توان مناسب، گزینه‌ای کاربردی برای تجهیزات تبدیل انرژی و سیستم‌های صنعتی محسوب می‌شود.