ماسفت SG60N04P از فناوری Trench MOSFET بهره میبرد که باعث کاهش مقاومت روشن و بهبود عملکرد در کاربردهای توان میشود. این قطعه برای مدارهایی که نیاز به عبور جریان بالا همراه با تلفات کم دارند مناسب است و در تجهیزات صنعتی، سیستمهای کنترل موتور، منابع تغذیه سوئیچینگ و مدارهای PWM استفاده میشود. ساختار داخلی آن به گونهای طراحی شده که شارژ گیت پایین و سرعت سوئیچینگ مناسبی ارائه دهد و در نتیجه راندمان مدار افزایش یابد. وجود دیود داخلی بین Source و Drain نیز استفاده از آن را در بسیاری از مدارهای قدرت سادهتر میکند.
مشخصات فنی
- مدل: SG60N04P
- نوع قطعه: MOSFET قدرت کانال N
- پکیج: TO-220AB
- ولتاژ درین به سورس (VDS): 60V
- ولتاژ گیت به سورس (VGS): ±20V
- جریان درین پیوسته (ID): 200A در شرایط مرجع دیتاشیت
- جریان درین پیوسته (ID): 126A در دمای 100°C
- مقاومت روشن RDS(on): حداکثر 2mΩ تا 3mΩ در VGS=10V
- حداکثر دمای پیوند: 175°C
- ساختار: Trench MOSFET
کاربردهای رایج
این ماسفت برای مدارهای قدرت با ولتاژ پایین و جریان بالا طراحی شده و در تجهیزاتی که نیاز به سوئیچینگ سریع، تلفات کم و قابلیت تحمل جریان زیاد دارند عملکرد مناسبی ارائه میدهد. استفاده از آن در سیستمهای صنعتی، تجهیزات مبتنی بر باتری و کنترل بارهای سنگین بسیار متداول است.
- منابع تغذیه سوئیچینگ SMPS
- مبدلهای DC-DC
- کنترل موتور DC
- مدارهای PWM
- سوئیچ بارهای پرجریان
- سیستمهای باتری
- اینورترهای ولتاژ پایین
- کنترل سلونوئید
- UPS
- تجهیزات صنعتی

- پکیج
- TO-220
- پلاریته
- N-CHANNEL
-
سید عباس حسینی | 4 سال پیش سلام
طبق دیتاشیت 200 آمپره.
