ترانزیستور BD135 نوع NPN پکیج TO-126

کد کالا: 9201001089

ترانزیستور BJT سیلیکونی NPN با ولتاژ کلکتور-امیتر 45V، جریان کلکتور 1.5A و توان اتلاف 12.5W در پکیج TO-126 مناسب تقویت و درایو عمومی

دیدگاه کاربران 0 دیدگاه

مقدار تخفیف

تعداد	درصد	قیمت با تخفیف
100	2%	2,705‎ تومان
500	3%	2,677‎ تومان
1000	4%	2,650‎ تومان

27,600 ریال

توضیحات
مشخصات

ترانزیستور BD135 یک ترانزیستور دو قطبی NPN از نوع اپیتکسیال پلانار است که برای کاربردهای تقویت سیگنال و درایور توان متوسط طراحی شده است. این قطعه در پکیج SOT-32 معادل TO-126 عرضه می‌شود و با توان اتلاف 12.5W در دمای کیس 25°C، گزینه‌ای مناسب برای طبقات خروجی آمپلی‌فایرهای صوتی و مدارهای درایو بارهای القایی و مقاومتی محسوب می‌شود .

حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر آن 45V و جریان پیوسته کلکتور 1.5A است که امکان استفاده در منابع تغذیه خطی، مدارهای سوئیچینگ با فرکانس پایین و تقویت‌کننده‌های کلاس AB را فراهم می‌کند . بهره جریان DC این ترانزیستور بسته به جریان کاری می‌تواند تا 250 برسد و مقاومت حرارتی اتصال به کیس برابر 10°C/W است که در صورت استفاده از هیت‌سینک مناسب، پایداری حرارتی مطلوبی ارائه می‌دهد .

نکته: در برخی موجودی‌ها ممکن است سطح پایه‌ها دارای آثار اکسیدشدگی ظاهری باشد که این موضوع تأثیری بر عملکرد الکتریکی و مشخصات فنی قطعه ندارد.

مشخصات

نوع ترانزیستور: NPN Silicon BJT
پکیج: TO-126 (SOT-32)
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (VCEO): 45 V
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (VCBO): 45 V
حداکثر ولتاژ امیتر-بیس(VEBO): 5 V
حداکثر جریان کلکتور(IC): 1.5 A
حداکثر جریان پیک کلکتور(ICM): 3 A
حداکثر جریان بیس (IB ): 0.5 A
توان اتلاف در (Tc=25°C): 12.5 W
توان اتلاف در (Ta=25°C): 1.25 W
بهره جریان DC hFE: 25 تا 250
مقاومت حرارتی اتصال به کیس (Rthj-case): 10 °C/W
مقاومت حرارتی اتصال به محیط (Rthj-amb): 100 °C/W
حداکثر دمای پیوند (Tj): 150 °C

کاربردهای رایج

این ترانزیستور برای پروژه‌هایی مناسب است که نیاز به تقویت جریان یا درایو بار با توان متوسط دارند و در عین حال باید از نظر حرارتی قابل کنترل باشند. در تعمیرات تجهیزات صوتی، طراحی منابع تغذیه خطی و مدارهای تقویت توان، BD135 به دلیل در دسترس بودن و مشخصات فنی پایدار، انتخابی کاربردی و اقتصادی محسوب می‌شود.