ترانزیستور 2SD1047 از نوع NPN Epitaxial Planar بوده و توسط فناوری BiT-LA (Bipolar Transistor for Linear Amplifier) ساخته شده است که باعث بهبود خطی بودن بهره جریان و کاهش اعوجاج در کاربردهای صوتی می‌شود. این ترانزیستور در پکیج TO-3P ارائه می‌شود و دارای توان تلفاتی بالا (تا 100 وات در دمای 25°C) است.
به دلیل فرکانس گذار (fT) برابر با 20MHz و بهره جریان DC بالا (hFE تا 200)، از این قطعه در تقویت‌کننده‌های توان بالا، تقویت‌کننده‌های صوتی Hi-Fi، و همچنین در بخش خروجی منبع تغذیه‌های خطی و سوئیچینگ استفاده می‌شود. محدوده دمای کاری آن از ‎-65°C تا ‎+150°C بوده و طراحی آن برای کار در شرایط حرارتی و الکتریکی سنگین بهینه شده است.

مشخصات

• نوع ترانزیستور: NPN Power Transistor
• ولتاژ کلکتور-بیس (VCBO): 200V
• ولتاژ کلکتور-امیتر (VCEO): 140V
• ولتاژ امیتر-بیس (VEBO): 6V
• جریان کلکتور پیوسته (IC): 12A
• جریان لحظه‌ای کلکتور (ICM): 20A (tp < 5ms)
• توان تلفاتی کل (Ptot): 100W (Tc = 25°C)
• بهره جریان DC (hFE): 50 تا 200 (در IC = 1A تا 5A)
• فرکانس گذار (fT): 20MHz (در IC = 0.5A, VCE = 12V)
• ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (VCE(sat)): 0.5V تا 0.7V (در IC = 5A تا 7A)
• ولتاژ بیس-امیتر (VBE): حدود 1.3V (در IC = 5A)
• مقاومت حرارتی اتصال تا بدنه (Rthj-case): 1.25°C/W
• محدوده دمای کاری: ‎-65°C تا +150°C
• پکیج: TO-3P (سه پایه – کلکتور، بیس، امیتر)

کاربردهای رایج

• تقویت‌کننده‌های صوتی قدرتی (Hi-Fi Amplifiers)
• منابع تغذیه خطی و سوئیچینگ
• مدارهای درایور موتورهای DC
• مدارهای خروجی سیستم‌های تقویت قدرت
• تجهیزات صنعتی با توان بالا

Specification 

Product Category: Bipolar Transistors - BJT
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3
Transistor Polarity: NPN
Configuration: Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 140 V
Collector- Base Voltage VCBO: 200 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 700 mV
Maximum DC Collector Current: 12 A
Pd - Power Dissipation: 100 W
Gain Bandwidth Product fT: 20 MHz
Continuous Collector Current: 12 A
DC Collector/Base Gain hfe Min: 50
Product Type:BJTs - Bipolar Transistors