معرفی کامل

IR2113 یکی از پرکاربردترین درایورهای گیت برای راه‌اندازی MOSFET و IGBT در مدارهای قدرت است. این آی‌سی دارای دو کانال مستقل High-Side و Low-Side بوده و با استفاده از مدار Bootstrap امکان راه‌اندازی ترانزیستور N-Channel در سمت High-Side را فراهم می‌کند.

این درایور از فناوری HVIC بهره می‌برد و برای کاربردهای با ولتاژ بالا تا 600V طراحی شده است. جریان خروجی 2A، تأخیر انتشار تطبیق‌یافته بین دو کانال و زمان سوئیچینگ کوتاه، آن را برای کاربردهای فرکانس بالا مانند اینورترها، منابع تغذیه سوئیچینگ، درایور موتور و مبدل‌های DC-DC مناسب می‌کند.

وجود مدار Undervoltage Lockout برای هر دو کانال، سازگاری با منطق 3.3V و ورودی‌های Schmitt Trigger از دیگر ویژگی‌هایی هستند که طراحی مدارهای قدرت را ساده‌تر و مطمئن‌تر می‌کنند.

مشخصات فنی

• نوع کالا: آی‌سی درایور گیت
• مدل: IR2113
• نوع قطعه: درایور High-Side و Low-Side برای MOSFET و IGBT
• نوع پکیج: DIP-14
• نوع نصب: Through Hole
• تعداد پایه: 14
• حداکثر ولتاژ کانال شناور: 600V
• جریان خروجی: ±2A
• ولتاژ تغذیه درایور گیت: 10V تا 20V
• ولتاژ تغذیه بخش منطقی: 3.3V تا 20V
• سازگاری با منطق: CMOS و LSTTL
• زمان روشن شدن (Turn-On): 120ns
• زمان خاموش شدن (Turn-Off): 94ns
• حداکثر اختلاف تأخیر دو کانال: 20ns
• ورودی‌ها: Schmitt Trigger با Pull-Down داخلی
• حفاظت افت ولتاژ (UVLO): دارد

ویژگی‌ها

• راه‌اندازی مستقل ماسفت یا IGBT در سمت High-Side و Low-Side
• مناسب برای مدارهای نیم‌پل و تمام‌پل
• سازگار با میکروکنترلرهای 3.3V و 5V
• جریان خروجی مناسب برای شارژ و دشارژ سریع گیت
• تأخیر کم و تطبیق مناسب بین دو کانال
• دارای حفاظت افت ولتاژ برای افزایش ایمنی مدار

کاربردهای رایج

IR2113 در مدارهای الکترونیک قدرت برای راه‌اندازی ترانزیستورهای MOSFET و IGBT استفاده می‌شود. این آی‌سی در طراحی اینورترها، منابع تغذیه سوئیچینگ، درایور موتورهای DC و AC، مبدل‌های DC-DC، UPS و مدارهای کنترل توان که نیاز به درایور High-Side و Low-Side دارند، کاربرد گسترده‌ای دارد.

• اینورترهای تک‌فاز و سه‌فاز
• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
• درایور موتور DC و BLDC
• کنترل موتورهای AC
• مبدل‌های DC-DC
• مدارهای نیم‌پل و تمام‌پل
• UPS و اینورترهای توان

Description

The IR2110/IR2113 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 500 or 600 volts.

Specification

V ofoset : 600v max 
Io+/- : 2A
Vout : 10 to 20 volt 
T on/off : 120 &94 ns 
Delay Matching : 20ns max

Features

Floating channel designed for bootstrap operation Fully operational to +500V or +600V Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune
Gate drive supply range from 10 to 20V
Undervoltage lockout for both channels
3.3V logic compatible
Separate logic supply range from 3.3V to 20V
Logic and power ground ±5V offset
CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
Cycle by cycle edge-triggered shutdown logic
Matched propagation delay for both channels
Outputs in phase with inputs