IR2113S یک تراشه درایور گیت High-Side و Low-Side از خانواده درایورهای توان International Rectifier است که امروزه تحت برند Infineon شناخته می‌شود. این تراشه برای راه‌اندازی MOSFET و IGBT کانال N در توپولوژی‌هایی مانند Half-Bridge طراحی شده است.IR2113S دارای ورودی‌های منطقی مستقل HIN و LIN است و امکان کنترل جداگانه خروجی‌های HO و LO را فراهم می‌کند. کانال شناور High-Side قابلیت کار با ولتاژ آفست تا 600V را دارد و معمولاً با مدار Bootstrap برای تأمین تغذیه گیت ترانزیستور بالایی استفاده می‌شود.توانایی تأمین و تخلیه سریع بار گیت از ویژگی‌های مهم این تراشه است. جریان خروجی پالسی Source برابر 2A و جریان Sink برابر 2.5A اعلام شده است که امکان کنترل گیت ترانزیستورهای قدرت با سرعت مناسب را فراهم می‌کند.وجود ورودی Shutdown، حفاظت Undervoltage Lockout و تحمل dV/dt در کانال شناور از دیگر قابلیت‌های IR2113S است. ورودی‌های منطقی این تراشه نیز با سطوح CMOS و LSTTL سازگار هستند.

مشخصات فنی

• نوع: تراشه درایور گیت MOSFET و IGBT
• مدل: IR2113S
• سازنده اصلی: International Rectifier / Infineon Technologies
• ساختار درایور: High-Side و Low-Side
• تعداد کانال درایور: 2
• نوع کنترل کانال‌ها: مستقل
• پکیج: SOIC-16 Wide Body
• نوع نصب: SMD/SMT
• تعداد پایه: 16
• حداکثر ولتاژ آفست بخش High-Side: 600V
• محدوده ولتاژ تغذیه VCC: 10 تا 20V
• جریان خروجی پالسی Source: 2A
• جریان خروجی پالسی Sink: 2.5A
• زمان روشن‌شدن معمول: 120ns
• زمان خاموش‌شدن معمول: 94ns
• تطابق تأخیر انتشار کانال‌ها: حداکثر 20ns
• زمان صعود خروجی معمول: 35ns
• زمان نزول خروجی معمول: 25ns
• نوع منطق ورودی: CMOS و LSTTL
• ورودی Shutdown: دارد
• حفاظت افت ولتاژ UVLO: دارد
• محدوده دمای کاری: -40 تا +125°C

ویژگی‌ها

• کنترل مستقل کانال‌های High-Side و Low-Side
• توانایی راه‌اندازی MOSFET و IGBT کانال N
• جریان Source و Sink بالا برای شارژ و تخلیه سریع گیت
• کانال شناور High-Side مناسب برای ساختارهای نیم‌پل
• دارای ورودی Shutdown برای غیرفعال‌کردن خروجی‌ها
• دارای حفاظت UVLO برای جلوگیری از عملکرد نامناسب در ولتاژ تغذیه پایین
• تطابق زمانی مناسب بین کانال‌های High-Side و Low-Side
• مناسب برای مدارهای سوئیچینگ توان با نیاز به کنترل مستقل کلیدها

کاربردها

IR2113S برای مدارهایی طراحی شده است که به کنترل سریع و مستقل دو کلید قدرت High-Side و Low-Side نیاز دارند. قابلیت راه‌اندازی MOSFET و IGBT، جریان خروجی پالسی بالا و کانال شناور 600V، این تراشه را برای طیف گسترده‌ای از مبدل‌های توان مناسب می‌کند. در طراحی مدار باید Bootstrap، Dead-Time و حفاظت کلیدهای قدرت متناسب با کاربرد در نظر گرفته شوند.

• اینورترهای DC به AC
• مبدل‌های DC-DC
• منابع تغذیه سوئیچینگ
• درایور موتور
• مدارهای Half-Bridge
• مدارهای Full-Bridge با استفاده از چند درایور
• UPS و تجهیزات تبدیل توان
• درایو MOSFET و IGBT قدرت