جدید

ترانزیستور IGBT مدل FGH40N60SFD پکیج TO-247

کد کالا: 2111002297

ترانزیستور IGBT مدل FGH40N60SFD، ولتاژ کلکتور امیتر 600V و جریان نامی 40A در دمای کیس 100°C، برای سوئیچینگ توان بالا طراحی شده است. این ترانزیستور در منابع تغذیه سوئیچینگ، اینورترها، تجهیزات گرمایش القایی و مدارهای اصلاح ضریب توان کاربرد دارد.

—

امتیاز کاربران

۰ رای‌دهنده ۰ دیدگاه

ارسال سریع به سراسر کشور

ارسال روزانه سفارش‌ها به تمامی نقاط ایران با امکان ارسال رایگان و روش‌های متنوع حمل

بسته‌بندی حرفه‌ای و ایمن

بسته‌بندی مناسب برای محافظت از قطعات الکترونیکی حساس در فرآیند حمل و جابه‌جایی

خرید مطمئن از ECA

ارائه کالاها با تضمین اصالت و پشتیبانی پس از فروش

2,900,000 ریال

موجود در انبار

توضیحات

ترانزیستور IGBT مدل FGH40N60SFD از فناوری Field Stop بهره می‌برد که با کاهش تلفات هدایت و سوئیچینگ، عملکرد مناسبی در مدارهای الکترونیک قدرت فراهم می‌کند. این فناوری ترکیبی از ویژگی‌های کنترل گیت ترانزیستور MOSFET و توانایی عبور جریان بالای ساختار IGBT را در اختیار طراحان قرار می‌دهد.این ترانزیستور دارای ولتاژ اشباع کلکتور امیتر نسبتاً پایین و قابلیت سوئیچینگ سریع است. همچنین وجود دیود موازی معکوس داخلی، امکان استفاده در مدارهایی با بارهای القایی را فراهم می‌کند و به مدیریت مسیر جریان در شرایط سوئیچینگ کمک می‌کند.FGH40N60SFD برای کاربردهایی مانند منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)، سیستم‌های برق بدون وقفه (UPS)، مدارهای اصلاح ضریب توان (PFC) و تجهیزات گرمایش القایی طراحی شده است.پکیج TO-247 با قابلیت نصب روی هیت‌سینک، امکان مدیریت حرارت تولیدشده هنگام کار را فراهم می‌کند. در طراحی مدار باید به شرایط راه‌اندازی گیت، جریان کلکتور، تلفات سوئیچینگ و خنک‌کاری توجه شود.

مشخصات فنی

نوع: ترانزیستور IGBT
مدل: FGH40N60SFD
فناوری ساخت: Field Stop IGBT
پکیج: TO-247
نوع نصب: Through Hole (نصب درون‌سوراخی)
تعداد پایه: 3
ولتاژ شکست کلکتور امیتر (BVCES): حداقل 600V
حداکثر ولتاژ گیت امیتر (VGES): ±20V
جریان کلکتور پیوسته (IC) در TC=25°C: حداکثر 80A
جریان کلکتور پیوسته (IC) در TC=100°C: حداکثر 40A
جریان پالسی کلکتور (ICM) در TC=25°C: حداکثر 120A
توان تلفاتی (PD) در TC=25°C: حداکثر 290W
توان تلفاتی (PD) در TC=100°C: حداکثر 116W
ولتاژ آستانه گیت امیتر (VGE(th)): حداقل 4.0V، معمول 5.0V، حداکثر 6.5V
ولتاژ اشباع کلکتور امیتر (VCE(sat)) در IC=40A و VGE=15V و TC=25°C: معمول 2.3V، حداکثر 2.9V
ولتاژ اشباع کلکتور امیتر در TC=125°C: معمول 2.5V
ظرفیت ورودی (Cies): معمول 2110pF
ظرفیت خروجی (Coes): معمول 200pF
ظرفیت انتقال معکوس (Cres): معمول 60pF
زمان تأخیر روشن‌شدن (td(on)) در TC=25°C: معمول 25ns
زمان افزایش جریان (tr) در TC=25°C: معمول 42ns
زمان تأخیر خاموش‌شدن (td(off)) در TC=25°C: معمول 115ns
زمان کاهش جریان (tf) در TC=25°C: معمول 27ns
انرژی تلفاتی روشن‌شدن (Eon) در TC=25°C: معمول 1.13mJ
انرژی تلفاتی خاموش‌شدن (Eoff) در TC=25°C: معمول 0.31mJ
مجموع انرژی تلفاتی سوئیچینگ (Ets) در TC=25°C: معمول 1.44mJ
بار کل گیت (Qg): معمول 120nC
بار گیت به امیتر (Qge): معمول 14nC
بار گیت به کلکتور (Qgc): معمول 58nC
مقاومت حرارتی پیوند به کیس IGBT: حداکثر 0.43°C/W
مقاومت حرارتی پیوند به کیس دیود داخلی: حداکثر 1.45°C/W
مقاومت حرارتی پیوند به محیط: حداکثر 40°C/W

ویژگی‌ها

بهره‌گیری از ساختار Field Stop برای کاهش تلفات در کاربردهای سوئیچینگ
امپدانس ورودی بالا و کنترل عملکرد از طریق ولتاژ گیت
ولتاژ اشباع پایین برای کاهش تلفات هدایت
سرعت سوئیچینگ مناسب برای مبدل‌های توان
مجهز به دیود موازی معکوس داخلی برای مسیر جریان برگشتی
قابلیت دفع حرارت از طریق نصب روی هیت‌سینک مناسب
مناسب برای طراحی مدارهای تبدیل و کنترل توان
قابلیت استفاده در مدارهای دارای بار القایی با طراحی صحیح حفاظت و راه‌اندازی

کاربردها

ترانزیستور IGBT مدل FGH40N60SFD در مدارهای تبدیل انرژی و کنترل توان که به تحمل ولتاژ بالا، عبور جریان زیاد و سوئیچینگ سریع نیاز دارند، کاربرد دارد. این ترانزیستور برای استفاده در منابع تغذیه سوئیچینگ، اینورترها، سیستم‌های برق اضطراری و تجهیزات گرمایش القایی مناسب است. ویژگی‌های الکتریکی و حرارتی آن امکان طراحی مدارهایی با مدیریت تلفات هدایت و سوئیچینگ را فراهم می‌کند. انتخاب فرکانس کاری، درایور گیت و سیستم خنک‌کننده باید متناسب با شرایط واقعی مدار انجام شود.