ترانزیستور IGBT مدل SGT40N60NPFD ترکیبی از ویژگی‌های ترانزیستور MOSFET و BJT را ارائه می‌دهد و برای کنترل توان در مدارهای با ولتاژ و جریان بالا مورد استفاده قرار می‌گیرد. این قطعه با ولتاژ شکست Collector-Emitter برابر 600V و جریان کاری تا 40A، گزینه‌ای مناسب برای کاربردهای قدرتی با نیاز به سوئیچینگ سریع است.این مدل دارای دیود هرزگرد (FRD) داخلی بوده و در مدارهایی که نیاز به مسیر برگشت جریان هنگام خاموش شدن کلید قدرت دارند، می‌تواند طراحی مدار را ساده‌تر کند. مقاومت روشن پایین و امپدانس ورودی بالا از ویژگی‌های ساختاری IGBTها برای کاهش تلفات و ساده‌تر شدن درایو گیت است. پکیج TO-3P این قطعه امکان انتقال حرارت مناسب به هیت‌سینک را فراهم می‌کند و برای استفاده در تجهیزات توان که مدیریت حرارتی اهمیت دارد، مناسب است.

مشخصات

• نوع محصول: ترانزیستور IGBT
• مدل: SGT40N60NPFD
• سازنده: Silan Microelectronics
• فناوری ساخت: Field Stop IGBT
• نوع کانال: N Channel
• نوع پکیج: TO-3P
• نوع نصب: Through Hole
• ولتاژ Collector-Emitter: 600V
• ولتاژ Gate-Emitter: ±20V
• جریان Collector: 40A
• جریان Collector پالسی: 120A
• توان تلفاتی: 290W
• ولتاژ اشباع Collector-Emitter: 2.1V
• مقاومت حرارتی Junction to Case: 0.24°C/W
• محدوده دمای کاری پیوند: -55°C تا +150°C
• دیود داخلی: FRD
• ولتاژ مستقیم دیود: 1.5V
• زمان بازیابی معکوس دیود: 32ns
• تعداد پایه: 3 پایه

کاربردهای رایج

ترانزیستور SGT40N60NPFD در مدارهای الکترونیکی قدرت که نیاز به کنترل جریان‌های بالا و سوئیچینگ ولتاژهای بالا دارند استفاده می‌شود. این قطعه در تجهیزات صنعتی و منابع تبدیل انرژی که بازده و تحمل توان اهمیت دارد، کاربرد دارد.

• مدارهای اینورتر و مبدل توان
• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
• سیستم‌های UPS
• تجهیزات گرمایش القایی (Induction Heating)
• مدارهای اصلاح ضریب توان (PFC)
• کنترل موتورهای الکتریکی
• تجهیزات قدرت صنعتی