IGBT مدل TGAN80N60F2DS ترکیبی از ویژگی‌های ترانزیستور MOSFET و ترانزیستور دوقطبی قدرت است که برای کاربردهای سوئیچینگ توان طراحی شده است. این ساختار امکان کنترل آسان از سمت گیت و عبور جریان‌های بالا بین کلکتور و امیتر را فراهم می‌کند. این قطعه در مدارهای مبدل توان، منابع تغذیه سوئیچینگ، درایو موتور و سیستم‌های تبدیل انرژی به عنوان کلید الکترونیکی عمل می‌کند. پکیج قدرت این IGBT امکان انتقال حرارت مناسب به هیت‌سینک را فراهم کرده و برای کاربردهایی که نیاز به مدیریت توان بالا دارند مناسب است.

 مشخصات 

• نوع محصول: ترانزیستور IGBT قدرت
• مدل: TGAN80N60F2DS
• نوع قطعه: IGBT کانال N
• ولتاژ کلکتور-امیتر: 600V
• جریان کلکتور: 160A
• نوع پکیج: TO-247
• تعداد پایه: 3 پایه
• نوع نصب: Through Hole
• پایه‌ها: Gate ، Collector ، Emitter
• دمای کاری: -55°C تا 150°C

کاربردهای رایج 

این IGBT در بخش‌هایی از الکترونیک قدرت استفاده می‌شود که نیاز به کنترل جریان‌های بالا و قطع و وصل سریع مسیر توان وجود دارد. انتخاب صحیح درایور گیت، سیستم خنک‌کاری و شرایط کاری مدار برای بهره‌برداری مناسب از این قطعه اهمیت دارد.

• اینورترهای توان
• درایور موتورهای الکتریکی
• منابع تغذیه سوئیچینگ پرقدرت
• مبدل‌های DC به AC
• سیستم‌های کنترل توان
• تجهیزات جوشکاری الکترونیکی