Specification
roduct Category: IGBT Transistors
Technology: Si
Package/Case: TO-3PN
Mounting Style: Through Hole
Configuration: Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C: 25 A
Pd - Power Dissipation: 190 W
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C
10 کالای مشابه
ترانزیستور FGW25N120VD IGBT ژاپنی مارک FUJI پکیج TO-247
ماژول تریستور قدرت IRKT136/12
ترانزیستور K40H1203 IGBT پکیج TO-247
1,110,000
ریال
ترانزیستور FGW40N120V IGBT ژاپنی مارک FUJI پکیج TO-247
2,650,000
ریال
IGBT TSG15N120CN 1200V/15A
ترانزیستور IKW40N120 IGBT پکیج TO-247
ترانزیستور FGW40N120W IGBT ژاپنی مارک FUJI پکیج TO-247
7N60B IGBT
ترانزیستور FGW30N60VD IGBT ژاپنی مارک FUJI پکیج TO-247
اولین فردی باشید که دیدگاهتان را ثبت میکنید
