مشخصات 

• نوع ترانزیستور: PNP سیلیکونی
• ولتاژ کلکتور–امیتر (Vceo): -60 V
• ولتاژ کلکتور–بیس (Vcbo): -60 V
• ولتاژ امیتر–بیس (Vebo): -5 V
• حداکثر جریان کلکتور (Ic): -600 mA
• توان تلفاتی در دمای 25°C: 625 mW
• محدوده دمای کاری: -55°C تا +150°C
• بهره جریان DC (hFE): 100 تا 300
• فرکانس گذر بهره (fT): 200 MHz
• ولتاژ اشباع کلکتور–امیتر (Vce(sat)): حداکثر 0.4 تا 1.6 V
• ولتاژ اشباع بیس–امیتر (Vbe(sat)): 1.3 تا 2.6 V

کاربردهای رایج

ترانزیستور 2N2907 یکی از گزینه‌های اقتصادی و پرکاربرد برای مدارهای الکترونیکی عمومی است. در تقویت‌کننده‌ها، مدارات سوئیچینگ و پروژه‌های آموزشی بسیار مورد استفاده قرار می‌گیرد.

• تقویت‌کننده‌های صوتی و سیگنال ضعیف
• کلیدهای ترانزیستوری در مدارهای منطقی
• راه‌اندازی LED، رله و بارهای کوچک
• مدارات تایمر، سنسور و آشکارساز
• تقویت‌کننده‌های فرکانس متوسط
• سیستم‌های کنترلی و آزمایشگاهی

Specification

Having a high value of current (max. 600 mA)
Low voltage value (max. 60 V)
Comes in a different type of packages – TO-92
These are Lead (Pb) free devices
Collector to Emitter voltage (VCEO) is 60v (max.)
Collector to Base voltage (VCBO) is 60v (max.)
Emitter to Base voltage(VEBO) is 5v (normally)
The maximum value of Collector current is 600mA
Power dissipation at ambient temperature is about 400mW
Having DC current gain (hfe) of 100 to 300 (max.)
The temperature of operation and storage is -65 to +150 °C