ترانزیستورC945، یک ترانزیستور BJT از نوع NPN که دارای مقدار بهره 70 تا 400 است، هنگامی که این ترانزیستور به طور کامل بایاس شود، می‌تواند حداکثر جریان 150 میلی آمپر در کلکتور و امیتر برقرار شود. علاوه بر آن ولتاژ در کل کلکتور-امیتر (VCE) یا Base-Emitter (VBE) می تواند به ترتیب 200 و 900 میلی ولت باشد. هنگامی که جریان بیس حذف می شود، ترانزیستور کاملاً خاموش می شود، این مرحله به عنوان منطقه قطع نیز نامیده می‌شود و ولتاژ امیتر پایه می‌تواند حدود 660 میلی ولت باشد.

مشخصات

پیکربندی ترانزیستور : NPN
نوع ترانزیستور : BJTs - Bipolar
داکثر جریان کلکتور (Ic): 150mA
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcbo): 60V
حداکثر ولتاژ کلکتور-اِمیتر (Vceo): 50V
حداکثر ولتاژ اِمیتر-بیس (Vbe): 5V
فرکانس کاری : 300 مگاهرتز
ضریب تقویت جریان - بهره (hFE): حداقل 70 و حداکثر 400 (متناسب با شرایط)
حداقل و حداکثر دمای : 65- الی 150+ درجه سانتی گراد
پکیج : TO-92

کاربرد

تقویت کننده سیگنال
کلید الکترونیکی
مبدل سیگنال
تقویت کننده‌های آمپلی‌فایر
مدارهای تایمر
مدارهای تشدید و غیره

ترتیب پایه ها

پایه Base: این پایه به عنوان پایه کنترلی برای جریان بین کلکتور(Collector) و امیتر(Emitter) استفاده می‌شود.
پایه Collector: این پایه به عنوان پایه جمع کننده جریان از بین پایه بیس(Base) و امیتر(Emitter) استفاده می‌شود.
پایه Emitter: این پایه به عنوان پایه خروجی جریان از ترانزیستور عمل می‌کند.

Specification

P/N: C945 / F945
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-92-3
Transistor Polarity: NPN
Configuration: Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 150 mV
Maximum DC Collector Current: 150 mA
Pd - Power Dissipation: 250 mW
Gain Bandwidth Product fT: 300 MHz
Minimum Operating Temperature: -
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Continuous Collector Current: 150 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 40
DC Current Gain hFE Max: 700