ترانزیستور BC337 از نوع NPN سیلیکونی بوده و برای کاربردهای عمومی در تقویت و سوئیچینگ طراحی شده است. این قطعه در مدل‌های مختلف با بهره جریان متفاوت (مانند BC337-25 و BC337-40) عرضه می‌شود و در مدارات آنالوگ و دیجیتال، از جمله تقویت‌کننده‌ها، درایورها و کنترلرهای ساده مورد استفاده قرار می‌گیرد. پکیج TO-92 آن برای مونتاژ دستی، آزمایشگاهی و استفاده در بردبردها بسیار مناسب است. جریان کلکتور تا 800 میلی‌آمپر و توان مصرفی تا 625 میلی‌وات از جمله ویژگی‌های این ترانزیستور می‌باشند که آن را در گروه ترانزیستورهای پرکاربرد قرار می‌دهد.

مشخصات

• نوع قطعه: NPN
• پکیج: TO-92
• ولتاژ کلکتور-امیتر (VCEO): 45V
• ولتاژ کلکتور-بیس (VCBO): 50V
• ولتاژ امیتر-بیس (VEBO): 5V
• جریان کلکتور پیوسته (IC): حداکثر 800mA
• توان مصرفی در دمای 25°C: برابر 625mW
• مقاومت حرارتی محیطی (RθJA): برابر 200°C/W
• مقاومت حرارتی کیس (RθJC): برابر 83.3°C/W
• بهره جریان مستقیم (hFE): از 100 تا 630 (بسته به نسخه)
• ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (VCE(sat)): حداکثر 0.7V در جریان 500mA
• ولتاژ بایاس بیس-امیتر (VBE(on)): حداکثر 1.2V
• فرکانس گذر (fT): حدود 210MHz
• ظرفیت خروجی (Cob): حدود 15pF
• دمای کاری: بین -55 تا +150 درجه سانتی‌گراد

کاربردهای رایج

ترانزیستور BC337 یکی از پرکاربردترین ترانزیستورهای NPN است که در پروژه‌های تقویت‌کننده، درایور LED، کنترل موتورها، و سیستم‌های کنترل منطقی با توان پایین تا متوسط استفاده می‌شود. این قطعه به دلیل مشخصات متعادل و قیمت مناسب، انتخابی ایده‌آل برای آموزش و پروژه‌های عملی نیز به‌شمار می‌رود.

• تقویت سیگنال در مدارهای صوتی و آنالوگ
• راه‌اندازی LED یا نمایشگرهای کوچک
• درایور موتورهای کوچک یا رله‌های ولتاژ پایین
• سوئیچینگ بارهای DC با جریان متوسط
• تولید نوسان در مدارهای تایمر یا آستابل
• درایور بیس ترانزیستورهای قدرت
• پروژه‌های آموزشی و بردبردی
• تقویت‌کننده‌های سیگنال سنسورها
• کنترل نور یا سرعت با PWM
• سیستم‌های کنترل ساده با میکروکنترلر

Specification

Product Category: Bipolar Transistors - BJT
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-92-3
Transistor Polarity: NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 700 mV
Maximum DC Collector Current: 800 mA
Pd - Power Dissipation: 625 mW
Gain Bandwidth Product fT: 210 MHz
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Continuous Collector Current: 800 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 100
DC Current Gain hFE Max: 630
Product Type: BJTs - Bipolar Transistors