ماسفت MTN2572E3 ساخت شرکت CYStek Electronics Corp. یک ترانزیستور قدرت N-Channel Enhancement Mode است که برای کنترل جریان‌های بالا در مدارهای الکترونیکی طراحی شده است. این قطعه با اعمال ولتاژ مناسب به پایه Gate، مسیر عبور جریان بین Drain و Source را کنترل می‌کند و امکان استفاده به‌عنوان کلید الکترونیکی سریع در مدارهای قدرت را فراهم می‌سازد.مهم‌ترین ویژگی این مدل، مقاومت روشن‌شدن پایین Drain-Source است که باعث کاهش تلفات هنگام عبور جریان زیاد می‌شود. این مشخصه باعث افزایش بازده مدار و کاهش حرارت تولیدی در کاربردهای توان بالا می‌شود.MTN2572E3 دارای قابلیت تحمل Avalanche تکرارشونده است و برای مدارهایی که دارای بارهای القایی مانند موتورهای DC هستند، مقاومت مناسبی در برابر پالس‌های ولتاژ ناگهانی ارائه می‌دهد. همچنین شارژ گیت کنترل‌شده این قطعه باعث می‌شود طراحی مدار درایور نسبتاً ساده باشد.این ماسفت در پکیج TO-220 عرضه می‌شود که قابلیت انتقال حرارت مناسب به هیت‌سینک را دارد. در شرایطی که جریان نزدیک به مقدار نامی قطعه استفاده شود، طراحی مناسب سیستم خنک‌کننده و مسیر جریان PCB اهمیت زیادی دارد.MTN2572E3 برای مدارهای کم‌ولتاژ با جریان بالا طراحی شده است و برای کاربردهای ولتاژ بالا مانند برق شهر یا منابع تغذیه 400V و 600V مناسب نیست.

مشخصات

• برند: CYStek Electronics Corp.
• مدل: MTN2572E3
• نوع قطعه: Power MOSFET
• ساختار: N-Channel Enhancement Mode
• پکیج: TO-220

مشخصات الکتریکی

• ولتاژ درین-سورس (VDS): 150V
• ولتاژ گیت-سورس (VGS): ±30V
• جریان درین پیوسته (ID): 44A در VGS=10V و TC=25°C
• جریان درین پیوسته (ID): 31A در TC=100°C
• جریان پالسی درین (IDM): 120A
• جریان Avalanche: 18A
• توان تلفاتی (PD): 156W در TC=25°C
• توان تلفاتی (PD): 78W در TC=100°C
• دمای کاری پیوند (Tj): -55°C تا +175°C

مشخصات مقاومت روشن‌شدن

• مقاومت روشن‌شدن (RDS(on)) مقدار Typical: 33mΩ
• حداکثر مقاومت روشن‌شدن (RDS(on)): 50mΩ
• شرایط تست RDS(on): VGS=10V و ID=20A

مشخصات گیت و سوئیچینگ

• شارژ کل گیت (Qg): 30nC
• شارژ Gate-Source (Qgs): 10nC
• شارژ Gate-Drain (Qgd): 8nC
• شرایط تست شارژ گیت: ID=20A، VDS=80V، VGS=10V
• زمان تأخیر روشن‌شدن (td(on)): 13ns
• زمان افزایش (tr): 12ns
• زمان تأخیر خاموش‌شدن (td(off)): 47ns
• زمان افت (tf): 20ns

مشخصات دیود داخلی

• جریان دیود داخلی (IS): 36A
• جریان پالسی دیود داخلی (ISM): 120A
• ولتاژ مستقیم دیود داخلی (VSD): 1.3V
• زمان بازیابی معکوس (trr): 120ns
• شارژ بازیابی معکوس (Qrr): 380nC

ظرفیت‌های داخلی

• شرایط اندازه‌گیری: VGS=0V، VDS=25V، فرکانس 1MHz
• ظرفیت ورودی (Ciss): 2249pF
• ظرفیت خروجی (Coss): 225pF
• ظرفیت انتقال معکوس (Crss): 118pF

مشخصات حرارتی

• مقاومت حرارتی اتصال به بدنه (RθJC): 0.96°C/W
• مقاومت حرارتی اتصال به محیط (RθJA): 62.5°C/W

پین‌آوت

• نوع پکیج: TO-220
• پایه 1: Gate
• پایه 2: Drain
• پایه 3: Source
• اتصال زبانه فلزی پشت پکیج: Drain

کاربردهای رایج 

ماسفت MTN2572E3 برای مدارهایی استفاده می‌شود که نیاز به کنترل جریان بالا در ولتاژهای متوسط دارند. ترکیب مقاومت روشن‌شدن پایین، توان تلفاتی مناسب و قابلیت تحمل شرایط گذرا باعث شده این قطعه در تجهیزات قدرتی مبتنی بر DC و سیستم‌های کنترلی پرجریان مورد استفاده قرار گیرد.

• درایور موتورهای DC
• کنترلر موتورهای براش‌دار
• مبدل‌های DC-DC
• منابع تغذیه سوئیچینگ کم‌ولتاژ
• مدارهای Half Bridge
• مدارهای Full Bridge
• کنترل بارهای جریان بالا
• اینورترهای کوچ
• سیستم‌های باتری
• سیستم‌های UPS