ترانزیستور 2N5551 یک قطعه نیمه‌رسانا از نوع NPN است که به‌طور خاص برای کاربردهای عمومی با ولتاژ بالا طراحی شده است. این ترانزیستور در بسیاری از مدارهای تقویت‌کننده، درایورهای نمایشگرهای گازی، و سوئیچینگ‌های سبک کاربرد دارد. پکیج TO-92 آن امکان نصب آسان در بردهای DIP و محیط‌های آموزشی یا صنعتی را فراهم می‌سازد. جریان مجاز کلکتور تا 600 میلی‌آمپر و ولتاژ شکست کلکتور-امیتر تا 160 ولت آن را برای طیف گسترده‌ای از کاربردها مناسب کرده است. به دلیل گین جریان بالا و نویز پایین، انتخابی مطلوب برای طراحی مدارهای صوتی و کنترل‌کننده‌های ولتاژ و جریان می‌باشد.

مشخصات

• نوع قطعه: NPN
• پکیج: TO-92
• ولتاژ کلکتور-امیتر (VCEO): 160V
• ولتاژ کلکتور-بیس (VCBO): 180V
• ولتاژ امیتر-بیس (VEBO): 6V
• جریان کلکتور (IC): حداکثر 600mA
• توان مصرفی (PD): 625mW در دمای 25°C
• مقاومت حرارتی (RθJA): برابر با 200°C/W
• بهره جریان مستقیم (hFE): بین 30 تا 250 بسته به جریان کلکتور
• فرکانس کاری (fT): حداقل 100MHz در جریان 10mA و ولتاژ 10V
• ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (VCE(sat)): حدود 0.2V در جریان 50mA
• ولتاژ بایاس بیس-امیتر (VBE(on)): حدود 1.0V در جریان 50mA
• دمای کاری: بین -55°C تا +150°C

کاربردهای رایج

ترانزیستور 2N5551 به‌عنوان یک قطعه عمومی ولتاژ بالا، در انواع تقویت‌کننده‌ها، درایورهای سیگنال و سوئیچینگ‌های سبک به‌کار می‌رود. استفاده از این قطعه در طراحی مدارهای صوتی، درایور نمایشگرها، و مدارهای کنترلی با دقت بالا به دلیل عملکرد پایدار در بازه ولتاژ و دمای گسترده بسیار رایج است.

• تقویت سیگنال در مدارهای صوتی
• درایور نمایشگرهای گازی یا فلورسنت
• سوییچینگ ولتاژ بالا با جریان متوسط
• استفاده در منابع تغذیه خطی یا سوئیچینگ
• درایور ترانزیستورهای قدرت
• تقویت‌کننده‌های ولتاژ AC یا DC
• مدارات اصلاح یا تنظیم‌کننده سیگنال
• ساخت تایمرهای دقیق و نوسان‌سازها
• سیستم‌های کنترلی حساس به نویز
• پروژه‌های آموزشی و بردهای آزمایشی

Specification

Product Category: Bipolar Transistors - BJT
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-92-3
Transistor Polarity: NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 160 V
Collector- Base Voltage VCBO: 180 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 250 mV
Maximum DC Collector Current: 600 mA
Pd - Power Dissipation: 625 mW
Gain Bandwidth Product fT: 300 MHz
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Continuous Collector Current: 0.6 A
DC Collector/Base Gain hfe Min: 80
Product Type: BJTs - Bipolar Transistors