تراشه درایور ماسفت IR2109S پکیج SO-8
تراشه IR2109S یک درایور گیت نیمپل 600V برای راهاندازی MOSFET و IGBT در بخش High-Side و Low-Side است. این تراشه با تغذیه 10 تا 20V، دو خروجی گیت، ورودی Shutdown و Dead-Time داخلی، برای مبدلهای توان و مدارهای سوئیچینگ نیمپل کاربرد دارد.
| تعداد | درصد | قیمت با تخفیف |
|---|---|---|
| 100 | 2% | 87,024 تومان |
IR2109S یک تراشه درایور گیت High-Side و Low-Side است که برای کنترل دو ترانزیستور قدرت در ساختار Half-Bridge طراحی شده است. کانال شناور High-Side با روش Bootstrap کار میکند و امکان استفاده در مدارهایی با ولتاژ آفست تا 600V را فراهم میسازد.این تراشه دو خروجی HO و LO برای راهاندازی گیت MOSFET یا IGBT دارد. منطق داخلی جلوگیری از هدایت همزمان دو ترانزیستور (Cross-Conduction Prevention) همراه با Dead-Time داخلی 540ns، پیادهسازی مدارهای نیمپل را سادهتر میکند.IR2109S با سطوح منطقی 3.3V، 5V و 15V سازگار است و در نتیجه میتوان ورودی کنترلی آن را در طراحیهای مختلف دیجیتال به کار برد. وجود حفاظت افت ولتاژ UVLO برای هر دو بخش High-Side و Low-Side نیز از ویژگیهای مهم آن است.ورودی SD امکان خاموشکردن هر دو کانال خروجی را فراهم میکند. این مجموعه قابلیتها، IR2109S را برای مدارهای تبدیل توان، اینورترها و انواع مدارهای سوئیچینگ مبتنی بر نیمپل مناسب میسازد.
مشخصات فنی
- نوع: تراشه درایور گیت MOSFET و IGBT
- مدل: IR2109S
- سازنده: Infineon Technologies
- ساختار درایور: Half-Bridge
- کانالهای خروجی: High-Side و Low-Side
- تعداد کانال: 2
- پکیج: SOIC-8
- نوع نصب: SMD/SMT
- تعداد پایه: 8
- حداکثر ولتاژ آفست بخش High-Side: 600V
- محدوده ولتاژ تغذیه VCC: 10 تا 20V
- حداقل جریان پالسی Source خروجی: 120mA
- حداقل جریان پالسی Sink خروجی: 250mA
- زمان تأخیر روشنشدن معمول: 750ns
- زمان تأخیر خاموششدن معمول: 200ns
- Dead-Time داخلی: 540ns
- سطوح منطقی ورودی سازگار: 3.3V، 5V و 15V
- جریان مصرفی ساکن VCC: حداکثر 1.6mA
- آستانه روشنشدن UVLO برای VCC و VBS: معمولاً 8.9V
- آستانه خاموششدن UVLO برای VCC و VBS: معمولاً 8.2V
- محدوده دمای کاری: -40 تا +125°C
- سطح حساسیت به رطوبت پکیج SOIC-8: MSL 2

ویژگیها
- راهاندازی MOSFET یا IGBT در آرایش نیمپل
- کانال شناور High-Side با قابلیت Bootstrap
- منطق داخلی جلوگیری از هدایت همزمان دو کلید قدرت
- دارای Dead-Time داخلی برای افزایش ایمنی سوئیچینگ
- دارای ورودی Shutdown برای غیرفعالکردن هر دو خروجی
- حفاظت UVLO برای بخشهای High-Side و Low-Side
- سازگاری با چند سطح متداول سیگنال منطقی
- مصونیت در برابر dV/dt برای استفاده در مدارهای سوئیچینگ
کاربردها
IR2109S برای راهاندازی گیت ترانزیستورهای قدرت در مدارهای نیمپل به کار میرود. وجود خروجیهای High-Side و Low-Side، کانال شناور و منطق جلوگیری از هدایت همزمان، استفاده از آن را در طراحی مدارهای تبدیل و کنترل توان سادهتر میکند. انتخاب MOSFET یا IGBT، مدار Bootstrap و طراحی PCB باید متناسب با شرایط کاری مدار انجام شود.
- اینورترهای نیمپل
- مبدلهای DC-DC
- مبدلهای توان سوئیچینگ
- منابع تغذیه سوئیچینگ
- درایو MOSFETهای کانال N
- درایو IGBT
- مدارهای کنترل توان
- تجهیزات خانگی مبتنی بر مبدلهای توان

![]() |
-
امیر حسین شهبازی | 2 سال پیش سلام کی موجود میشه ، چون نیاز دارم برای کنترلر bldc و این تراشه کمه لطفا موجود کنیدمشاهده پاسخ ها (2)-
پشتیبانی | 2 سال پیش سلام این کالا در حال تامین موجودی بوده و به زودی موجود خواهد شد. با استفاده از گزینه "موجود شد به من خبر بده" میتوانید بوسیله ایمیل، از تجدید موجودی این کالا مطلع شوید.
-
-
امیر حسین شهبازی | 2 سال پیش سلام این ماسفت دوبل دقیقا مثل 2104s هست و برای برد bldc موتورهای براشلس کاربردی هست لطفا موجود کنید برا خرید ممنون-
پشتیبانی | 2 سال پیش پیشنهاد شما برای بررسی به بخش واردات ارجاع داده شد. از حسن توجه شما سپاس گزاریم.
-

نظر خود را بنویسید
تجربه خود را از این کالا با دیگران به اشتراک بگذارید.