اپتوکانتر TP806 یک سنسور نوری U شکل است که شامل یک دیود مادون قرمز (Infrared GaAs LED) به‌عنوان فرستنده و یک فوتوترانزیستور NPN به‌عنوان گیرنده می‌باشد. با عبور یک مانع نوری (مثل شیار دیسک یا پره چرخنده) از بین شکاف، پرتو نوری قطع شده و تغییر وضعیت خروجی رخ می‌دهد. این قطعه به دلیل سرعت پاسخ‌دهی بالا، برای کاربردهایی مانند شمارنده‌های چرخشی، چاپگر، دستگاه‌های فکس و اسکنرها بسیار مناسب است. بدنه مشکی این اپتوکانتر باعث کاهش اثر نور محیط و افزایش دقت عملکرد می‌شود.

مشخصات

• نوع قطعه: اپتوکانتر نوری U شکل
• نوع خروجی: فوتوترانزیستور NPN
• عرض شیار اپتیکی: استاندارد برای دیسک‌های شمارنده (حدود 3 میلی‌متر)
• نوع دیود نوری: GaAs Infrared LED
• ولتاژ مستقیم دیود نوری: 1.2 تا 1.35 ولت در جریان 20 میلی‌آمپر
• جریان معکوس دیود نوری: حداکثر 100 میکروآمپر در 5 ولت معکوس
• حداکثر جریان مستقیم دیود: 50 میلی‌آمپر
• پیک جریان پالسی دیود: 3 آمپر (پالس 1μs، تکرار 300Hz)
• توان مصرفی دیود نوری: حداکثر 175 میلی‌وات
• ولتاژ شکست کلکتور-امیتر: حداقل 30 ولت
• ولتاژ شکست امیتر-کلکتور: حداقل 5 ولت
• جریان تاریک (Dark Current): حداکثر 100 نانوآمپر در VCE=10V
• ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر: حداکثر 0.4 ولت در جریان 0.2 میلی‌آمپر و جریان LED برابر 20 میلی‌آمپر
• جریان خروجی در حالت روشن: حداقل 0.8 میلی‌آمپر
• محدوده دمای کاری: 40- تا 85+ درجه سانتی‌گراد
• محدوده دمای نگهداری: 50- تا 100+ درجه سانتی‌گراد
• نوع نصب: نصب مستقیم روی برد یا سوکت Dual Inline
• جنس بدنه: پلاستیک مشکی مقاوم در برابر نور محیط

کاربردهای رایج

این سنسور برای تشخیص عبور اشیاء یا شیارها در مسیر نوری و تعیین موقعیت، سرعت یا تعداد مناسب است.

• دستگاه‌های پرینتر و اسکنر
• فکس و دستگاه‌های دفتری مکانیکی
• سیستم‌های شمارش قطعات در تولید
• شمارنده دور موتور
• حسگر تشخیص موقعیت در تجهیزات CNC
• رباتیک آموزشی و صنعتی
• تشخیص عبور اجسام در نوار نقاله
• موقعیت‌یاب مکانیکی در بازوهای رباتیک
• کنترلرهای هوشمند برای حرکت خطی
• پروژه‌های میکروکنترلری برای سنجش عبور یا توقف

Specification

IR Diode Continuous Forward Current: 50 mA
IR Diode Reverse Voltage: 5 V
Transistor Collector Currant: 20 mA
Transistor Power Dissipation: 100 mW
IR Diode Peak Power Currant(Pulse Wide = 1μS, 300 pps): 3 A
Diode Power Dissipation: 175 mW
Phototransistor Collector-Emitter Voltage: 30V
Phototransistor Emitter-Collector Voltage: 5V
Operating Temperature Range: -40℃to + 85℃
Storage Temperature Range: -50℃to + 100℃