ماسفت Si2301 یک ترانزیستور اثر میدان از نوع P-Channel است که با فناوری TrenchMOS طراحی شده و عملکرد بهینه‌ای در سوئیچینگ معکوس و کاربردهای تغذیه ولتاژ پایین ارائه می‌دهد. این قطعه برای جریان‌های خروجی تا 2.3 آمپر مناسب بوده و دارای مقاومت پایین در حالت روشن (حداکثر 130 میلی‌اهم در VGS=-4.5V) است. پکیج SOT-23 آن برای نصب سطحی و فضای کم طراحی شده و مناسب استفاده در بردهای پرتراکم و دستگاه‌های قابل‌حمل است. به دلیل سرعت کلیدزنی بالا و بار گیت پایین، در سیستم‌های کنترل ولتاژ، درایورهای معکوس و منابع تغذیه سوئیچینگ کاربرد دارد.

مشخصات

• نوع قطعه: P-Channel MOSFET
• پکیج: SOT-23 (سه‌پایه)
• ولتاژ درین-سورس (VDS): -20V
• ولتاژ گیت-سورس (VGS): ±8V
• جریان خروجی مداوم در 25°C (ID): حداکثر -2.3A
• جریان خروجی مداوم در 70°C (ID): حداکثر -1.5A
• جریان خروجی لحظه‌ای (IDM): حداکثر -10A
• توان مصرفی در 25°C: حداکثر 1.25W
• توان مصرفی در 70°C: حداکثر 0.8W
• مقاومت روشن (RDS(on)) در VGS = -4.5V و ID = -2.8A: حداکثر 0.130Ω
• مقاومت روشن (RDS(on)) در VGS = -2.5V و ID = -2.0A: حداکثر 0.190Ω
• ولتاژ آستانه گیت (VGS(th)): حدود -0.45V
• ظرفیت ورودی (Ciss): حدود 415pF
• ظرفیت خروجی (Coss): حدود 223pF
• بار کل گیت (Qg): حدود 10nC در VGS = -4.5V
• ولتاژ دیود داخلی (VSD): حداکثر -1.2V در جریان -1.6A
• زمان تاخیر روشن شدن (td(on)): حداکثر 25ns
• زمان تاخیر خاموش شدن (td(off)): حداکثر 70ns
• دمای کاری: از -55°C تا +150°C
• مقاومت حرارتی (RθJA): حداکثر 100°C/W (روی برد FR4)

کاربردهای رایج

ماسفت Si2301 انتخاب مناسبی برای قطع و وصل خطوط مثبت تغذیه، درایورهای سطح پایین، و کنترل معکوس جریان در سیستم‌های ولتاژ پایین و پرتابل است. عملکرد سریع و مصرف کم آن را در مدارهای مصرفی و صنعتی کوچک بسیار پرکاربرد کرده است.

• سوئیچینگ خطوط تغذیه مثبت (High-Side Switching)
• مبدل‌های DC-DC با کنترل معکوس
• کنترل توان در مدارات کم‌مصرف
• قطع و وصل بار از سمت مثبت ولتاژ
• حفاظت معکوس در ورودی تغذیه
• درایور معکوس LED یا موتور کوچک
• کنترل تغذیه ماژول‌های بی‌سیم
• طراحی سیستم‌های باتری‌محور
• کاربرد در تجهیزات قابل‌حمل و IoT
• مدارهای تغذیه سطح منطقی و حسگرها

Specification

Product Category: MOSFET
RoHS: No
Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: SOT-23-3
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: - 20 V
Id - Continuous Drain Current: 2.3 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 130 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: 8 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Channel Mode: Enhancement
Brand: Vishay / Siliconix
Configuration: Single
Fall Time: 36 ns
Height: 1.02 mm
Length: 3.04 mm
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Pd - Power Dissipation: 1.25 W
Product: MOSFET Small Signal
Rise Time: 36 ns
Series: SI2
Factory Pack Quantity: 3000
Tradename: TrenchFET
Transistor Type: 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 42 ns
Typical Turn-On Delay Time: 13 ns
Width: 1.4 mm