تراشه درایور ماسفت تک کانال TC4420EPA پکیج DIP

کد کالا: 2101016030

TC4420EPA یک درایور MOSFET غیرمعکوس‌کننده تک‌کاناله با جریان پیک خروجی تا 6 آمپر و ولتاژ تغذیه 4.5 تا 18 ولت است که برای راه‌اندازی سریع گیت ترانزیستورهای MOSFET در مدارهای سوئیچینگ و کنترل قدرت مناسب است.

—

امتیاز کاربران

۰ رای‌دهنده

۰ دیدگاه

ارسال سریع به سراسر کشور

ارسال روزانه سفارش‌ها به تمامی نقاط ایران با امکان ارسال رایگان و روش‌های متنوع حمل

بسته‌بندی حرفه‌ای و ایمن

بسته‌بندی مناسب برای محافظت از قطعات الکترونیکی حساس در فرآیند حمل و جابه‌جایی

خرید مطمئن از ECA

ارائه کالاها با تضمین اصالت و پشتیبانی پس از فروش

ناموجود

این کالا در حال حاضر موجود نیست. می‌توانید از کالاهای مشابه در پایین صفحه دیدن نمایید.

موجود شد به من خبر بده

اطلاع رسانی خواهیم کرد

توضیحات
مشخصات

آی‌سی TC4420EPA از شرکت Microchip یک درایور گیت MOSFET تک‌کاناله از نوع Non‑Inverting یا غیرمعکوس‌کننده است؛ یعنی با اعمال سطح منطقی High به ورودی، خروجی نیز High می‌شود. وظیفه این قطعه تأمین جریان لحظه‌ای بالا برای شارژ و تخلیه سریع ظرفیت گیت MOSFET است تا زمان سوئیچینگ و تلفات در ترانزیستورهای قدرت کاهش یابد و عملکرد سریع‌تری حاصل شود. این آی‌سی درایور خروجی CMOS Push‑Pull داشته و قادر است جریان پیک تا 6 آمپر برای Source و Sink فراهم کند. مقدار 6 آمپر مربوط به جریان پیک شارژ و تخلیه گیت MOSFET است و برای بار دائمی درنظر گرفته نمی‌شود. خروجی با امپدانس پایین و Rail‑to‑Rail نزدیک به VDD و GND عمل می‌کند تا بهترین عملکرد درایو برای بارهای خازنی فراهم شود. این قطعه در پکیج PDIP‑8 (DIP‑8) و برای نصب Through‑Hole عرضه می‌شود و ورودی آن با استانداردهای منطقی TTL و CMOS سازگار است. محدوده ولتاژ تغذیه آن بین 4.5 تا 18 ولت است و برای راه‌اندازی سریع MOSFETها در فرکانس‌های سوئیچینگ بالا طراحی شده است. در کاربردهای صنعتی یا دمای کاری گسترده‌تر، پسوند EPA نشان‌دهنده نسخه‌ی گرید صنعتی/گسترده نسبت به نسخه‌های تجاری است.

مشخصات

نوع قطعه: آی‌سی درایور گیت MOSFET
تعداد کانال خروجی: تک‌کاناله
نوع عملکرد: غیرمعکوس‌کننده (Non‑Inverting)
ساختار خروجی: CMOS Push‑Pull
جریان پیک خروجی (Source & Sink): 6 آمپر
ولتاژ تغذیه کاری: 4.5 تا 18 ولت
حداکثر ولتاژ تغذیه مطلق: 20 ولت
زمان صعود خروجی (Rise Time): ≈25ns (بار 2500pF)
زمان نزول خروجی (Fall Time): ≈25ns (بار 2500pF)
تاخیر انتشار معمول (Propagation Delay): ≈55ns
ورودی سازگار با TTL/CMOS
امپدانس خروجی پایین (حدود 2.5Ω)
مناسب راه‌اندازی گیت‌های MOSFET با ظرفیت خازنی بالا
پکیج: DIP‑8 برای نصب از نوع Through‑Hole
محدوده دمای کاری: ‑40 تا +85°C

کاربردهای رایج

این آی‌سی برای شارژ و تخلیه سریع گیت MOSFET در منابع تغذیه سوئیچینگ، کنترل موتورهای DC، مدارهای PWM و مبدل‌های DC‑DC استفاده می‌شود و با توانایی تأمین جریان پیک بالا، زمان سوئیچینگ و تلفات مدار را کاهش می‌دهد.