دیود US1M یک یک‌سوساز فوق سریع از نوع Surface Mount است که برای کاربردهایی با نیاز به بازیابی سریع و راندمان بالا طراحی شده است. این دیود با قابلیت تحمل ولتاژ معکوس تا 1000 ولت و جریان میانگین 1 آمپر، برای محافظت، یکسوسازی و کنترل جریان در مدارهای سوئیچینگ و منابع تغذیه کاربرد دارد. سرعت بازیابی بالا (حداکثر 75 نانوثانیه) آن را برای کاربردهایی با سوئیچینگ سریع مناسب می‌سازد. بدنه‌ی پلاستیکی با رتبه‌بندی شعله‌پذیری 94V-0 و نشان‌گذاری پلاریته با نوار کاتد، نصب آسان و ایمن را در مدارهای سطحی فراهم می‌کند. از مزایای اصلی آن می‌توان به افت ولتاژ مستقیم پایین، تحمل جریان هجومی بالا (30آمپر) و ابعاد کوچک با وزن کم اشاره کرد. این دیود با پکیج SMA و ساختار مناسب برای مونتاژ خودکار، گزینه‌ای مطمئن برای طراحی‌های صنعتی مدرن محسوب می‌شود.

مشخصات

• ولتاژ کاری: 1000 ولت (حداکثر ولتاژ معکوس)
• فرکانس کاری: مناسب برای مدارهای فرکانس بالا با زمان بازیابی 75 نانوثانیه
• جریان مصرفی: جریان مستقیم میانگین 1 آمپر در دمای 75درجه سانتی‌گراد
• جریان هجومی: 30 آمپر (پیک در نیم سیکل 8.3 میلی‌ثانیه)
• افت ولتاژ مستقیم: حداکثر 1.7 ولت در جریان 1 آمپر
• جریان نشتی معکوس: 50 میکروآمپر در 100 درجه سانتی‌گراد
• ظرفیت پیوندی: 15 پیکوفاراد
• مقاومت حرارتی اتصال به پایه: 50 درجه سانتی‌گراد بر وات
• بازه دمای کاری و نگهداری: منفی 65 تا مثبت 150 درجه سانتی‌گراد
• پکیج: SMA (DO-214AC)

کاربردهای رایج

دیود US1M به دلیل سرعت بازیابی بالا، ولتاژ تحملی زیاد و ابعاد کوچک، در مدارهای قدرت، منابع تغذیه سوئیچینگ، شارژرها، درایورهای موتور، اینورترها، و مدارات حفاظت ولتاژی مورد استفاده قرار می‌گیرد. این دیود برای کاربردهایی که نیازمند عملکرد سریع و قابل‌اطمینان در فضای محدود هستند بسیار مناسب است.

• منابع تغذیه سوئیچینگ
• مدارهای اصلاح ضریب توان (PFC)
• شارژرهای صنعتی و خانگی
• مدارهای ولتاژ معکوس در UPS
• درایورهای LED و موتورهای DC
• مبدل‌های DC به DC
• مدارات کلمپ ولتاژ
• حفاظت ولتاژی در تجهیزات مخابراتی
• اینورترهای توان پایین
• سیستم‌های تغذیه قابل حمل

Specification

• Diode Type: Standard
• Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
• Current - Average Rectified (Io): 1A
• Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
• Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
• Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
• Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 0V, 1MHz
• Mounting Type: Surface Mount
• Supplier Device Package: DO-214AA (SMA)
• Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)