جدید

ترانزیستور دارلینگتون MJD122 نوع NPN پکیج TO-252 (DPAK)

کد کالا: 2111002296

ترانزیستور MJD122 یک ترانزیستور قدرت سیلیکونی NPN با ساختار دارلینگتون (Darlington) است که قابلیت تحمل ولتاژ 100V و جریان پیوسته 8A را دارد. این ترانزیستور با بهره جریان بالا، توان تلفاتی 20W در شرایط حرارتی مشخص و پکیج DPAK، برای تقویت جریان و سوئیچینگ بارهای الکتریکی با سرعت پایین کاربرد دارد.

—

امتیاز کاربران

۰ رای‌دهنده ۰ دیدگاه

ارسال سریع به سراسر کشور

ارسال روزانه سفارش‌ها به تمامی نقاط ایران با امکان ارسال رایگان و روش‌های متنوع حمل

بسته‌بندی حرفه‌ای و ایمن

بسته‌بندی مناسب برای محافظت از قطعات الکترونیکی حساس در فرآیند حمل و جابه‌جایی

خرید مطمئن از ECA

ارائه کالاها با تضمین اصالت و پشتیبانی پس از فروش

150,000 ریال

موجود در انبار

توضیحات
مشخصات

ترانزیستور MJD122 از نوع ترانزیستور دوقطبی قدرت (BJT) با ساختار دارلینگتون NPN است که برای کاربردهای تقویت جریان و سوئیچینگ عمومی طراحی شده است. ساختار دارلینگتون از دو ترانزیستور متصل به یکدیگر تشکیل شده که بهره جریان بالایی ایجاد می‌کند و امکان کنترل جریان کلکتور نسبتاً زیاد با جریان بیس کمتر را فراهم می‌سازد.این ترانزیستور دارای حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر 100V و جریان کلکتور پیوسته 8A است. بهره جریان DC آن در شرایط آزمایش تعیین‌شده می‌تواند به مقدار معمول 2500 برسد که برای راه‌اندازی بارها از طریق مدارهای کنترلی مناسب است.در ساختار داخلی MJD122 مقاومت‌های شنت بین بیس و امیتر تعبیه شده‌اند که به عملکرد و تخلیه بار الکتریکی بیس کمک می‌کنند. این طراحی یکپارچه، نیاز به برخی قطعات خارجی را کاهش می‌دهد.پکیج DPAK یا TO-252 امکان نصب سطحی (SMD) روی برد مدار چاپی را فراهم می‌کند. سطح فلزی متصل به کلکتور نیز می‌تواند در انتقال حرارت به مس PCB نقش داشته باشد.ترانزیستور MJD122 برای کاربردهای سوئیچینگ با سرعت پایین و تقویت‌کننده‌های عمومی طراحی شده و مدل MJD127 به‌عنوان ترانزیستور مکمل PNP آن معرفی شده است. همچنین این خانواده می‌تواند در برخی طراحی‌ها جایگزین سطحی ترانزیستورهای سری TIP120 تا TIP122 باشد، مشروط بر بررسی مشخصات الکتریکی و حرارتی مدار.

مشخصات فنی

نوع: ترانزیستور قدرت دارلینگتون
پارت نامبر: MJD122
ساختار ترانزیستور: NPN Darlington
فناوری ساخت: Silicon BJT
ولتاژ کلکتور به امیتر (VCEO): حداکثر 100V
ولتاژ کلکتور به بیس (VCB): حداکثر 100V
ولتاژ امیتر به بیس (VEB): حداکثر 5V
جریان پیوسته کلکتور (IC): حداکثر 8A
جریان پیک کلکتور: حداکثر 16A
جریان بیس (IB): حداکثر 120mA
توان تلفاتی در دمای بدنه 25°C: حداکثر 20W
توان تلفاتی در دمای محیط 25°C: حداکثر 1.75W با شرایط نصب مشخص‌شده در دیتاشیت
حداقل بهره جریان DC (hFE): برابر 1000 در IC=4A و VCE=4V
بهره جریان DC معمول: 2500 در IC=4A
حداکثر ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (VCE(sat)): برابر 2V در جریان کلکتور 4A و جریان بیس 16mA
حداکثر ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر در جریان 8A: برابر 4V با جریان بیس 80mA
حداکثر ولتاژ روشن بیس-امیتر (VBE(on)): برابر 2.8V در IC=4A و VCE=4V
حاصل‌ضرب بهره جریان و پهنای باند: حداقل 4MHz در شرایط تست دیتاشیت
مقاومت حرارتی پیوند به بدنه (RθJC): حداکثر 6.25°C/W
مقاومت حرارتی پیوند به محیط (RθJA): حداکثر 71.4°C/W در شرایط نصب مرجع
محدوده دمای پیوند و نگهداری: ‎-65 تا ‎+150°C
مقاومت شنت داخلی بیس-امیتر: دارد
پکیج: DPAK / TO-252
کد پکیج سازنده: Case 369C
نوع نصب: سطحی SMD
ترانزیستور مکمل: MJD127 از نوع PNP

ویژگی‌ها

ساختار دارلینگتون NPN با بهره جریان DC بالا
قابلیت کنترل جریان کلکتور با جریان تحریک بیس نسبتاً پایین
تحمل جریان پیوسته 8A در شرایط کاری مجاز
پکیج DPAK مناسب نصب سطحی روی PCB
دارای مقاومت‌های شنت داخلی بیس-امیتر
مناسب برای تقویت‌کننده‌های عمومی و سوئیچینگ کم‌سرعت
امکان انتقال حرارت از طریق سطح فلزی پکیج به PCB
دارای ترانزیستور مکمل PNP مدل MJD127
قابل استفاده به‌عنوان جایگزین برخی ترانزیستورهای دارلینگتون متداول با بررسی مشخصات مدار

کاربردهای رایج

ترانزیستور MJD122 برای مدارهایی طراحی شده است که به بهره جریان بالا و کنترل بارهای الکتریکی نیاز دارند. ساختار دارلینگتون امکان راه‌اندازی بارهای نسبتاً پرجریان را با مدار تحریک مناسب فراهم می‌کند. این ترانزیستور در مدارهای تقویت جریان، درایورهای بار DC و بخش‌های سوئیچینگ کم‌سرعت کاربرد دارد. هنگام طراحی باید افت ولتاژ حالت اشباع، توان تلفاتی و شرایط خنک‌کاری در نظر گرفته شود.