ترانزیستور MMUN2212 یک ترانزیستور NPN سیلیکونی از نوع سطح‌نصب (SMD) است که درون خود دارای شبکه مقاومت بایاس مجتمع شامل دو مقاومت 22 کیلواهم می‌باشد؛ یکی بین پایه (Base) و بیس، و دیگری بین بیس و امیتر. این ساختار باعث حذف نیاز به مقاومت‌های خارجی شده و به‌طور قابل‌توجهی موجب کاهش فضای موردنیاز روی برد و تعداد قطعات مورد استفاده در مدار می‌شود. این قطعه با پکیج کوچک و رایج SOT-23 برای کاربردهای سوئیچینگ دیجیتال، اینورترهای منطقی و مبدل‌های سطح ولتاژ بسیار مناسب است. عملکرد پایدار در دمای بالا، تطابق با استاندارد RoHS، و ویژگی‌های الکتریکی دقیق از مزایای کلیدی این قطعه محسوب می‌شوند. MMUN2212 به‌ویژه در طراحی مدارات قابل‌اطمینان و کم‌هزینه بسیار پرکاربرد است.

مشخصات

• نوع ترانزیستور: NPN
• ولتاژ کلکتور-امیتر (VCEO): 50 ولت
• ولتاژ کلکتور-بیس (VCBO): 50 ولت
• جریان کلکتور (IC): 100 میلی‌آمپر
• توان تلفاتی در دمای 25 درجه: 246 میلی‌وات (در برد کوچک)، 400 میلی‌وات (در برد 1×1 اینچ)
• مقدار مقاومت پایه (R1): 22 کیلواهم
• مقدار مقاومت پایه به امیتر (R2): 22 کیلواهم
• نسبت مقاومت‌ها (R1/R2): 1.0
• ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر: حداکثر 0.25 ولت در جریان 10 میلی‌آمپر
• بهره جریان مستقیم (hFE): بین 60 تا 100 در جریان 5 میلی‌آمپر
• رنج دمای کاری و ذخیره‌سازی: از 55- تا 150+ درجه سانتی‌گراد
• نوع پکیج: SOT-23

کاربردهای رایج

ترانزیستور MMUN2212 به‌واسطه مقاومت‌های داخلی و پکیج کوچک، گزینه‌ای بهینه برای طراحانی است که به‌دنبال ساده‌سازی مدار و کاهش هزینه‌ها هستند. از این قطعه در مدارهای منطقی، کنترل سیگنال، و سوییچینگ دقیق بهره‌برداری می‌شود.

• مبدل سطح ولتاژ بین سیستم‌های 3.3 ولت و 5 ولت
• مدارهای سوئیچینگ دیجیتال با فضای محدود
• درایور LED و بارهای سبک
• اینورترهای منطقی خروجی باز
• مدارات محافظ ورودی میکروکنترلر
• کنترل ورودی در آی‌سی‌های منطقی TTL/CMOS
• درایور خروجی در بردهای صنعتی
• مدارهای کاهش نویز در خطوط داده
• جایگزین اقتصادی ترانزیستور + دو مقاومت خارجی
• تقویت‌کننده ساده دیجیتال

Specification

• Transistor Type : NPN
• Collector-Emitter Voltage (VCEO): 50 V
• Collector-Base Voltage (VCBO): 50 V
• Collector Current (IC): 100 mA
• Total Power Dissipation (at 25°C) :246 mW (on minimal pad), 400 mW (on 1×1 inch pad)
• Base Resistor (R1): 22 kΩ
• Base-Emitter Resistor (R2): 22 kΩ
• Resistor Ratio (R1/R2): 1.0
• Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)): Max 0.25 V at IC = 10 mA
• DC Current Gain (hFE): 35 to 60 at IC = 5 mA, VCE = 10 V
• Operating and Storage Temperature Range: −55°C to +150°C
• Package Type: SOT-23