ترانزیستور BJT قدرت NPN مدل BUX98A ساخت STMicroelectronics از ساختار سیلیکونی Multi-Epitaxial Mesa بهره می‌برد و برای کار در مدارهای قدرت متصل به شبکه تک‌فاز و سه‌فاز طراحی شده است. قابلیت تحمل ولتاژ بالا، جریان کلکتور قابل توجه و سرعت سوئیچینگ مناسب، امکان استفاده از آن را در مبدل‌های فرکانس بالا و مدارهای خطی و سوئیچینگ قدرت فراهم می‌کند. پکیج فلزی TO-3 امکان اتصال مکانیکی مناسب به هیت‌سینک را فراهم می‌سازد و بدنه فلزی ترانزیستور به کلکتور متصل است. به همین دلیل هنگام نصب روی هیت‌سینک مشترک یا بدنه دستگاه باید نیاز به عایق الکتریکی بررسی شود. حداکثر جریان کلکتور 30A و توان تلفاتی 250W مقادیر حدی دیتاشیت هستند و دستیابی ایمن به آن‌ها به شرایط حرارتی، ناحیه عملکرد ایمن SOA و مدار تحریک بیس وابسته است. این مدل در آخرین دیتاشیت STMicroelectronics با وضعیت Obsolete مشخص شده است؛ بنابراین برای تعمیر تجهیزات موجود گزینه قابل بررسی است و در طراحی جدید بهتر است وضعیت تأمین بلندمدت نیز در نظر گرفته شود.

مشخصات  

• نوع: ترانزیستور BJT قدرت NPN
• مدل: BUX98A
• سازنده: STMicroelectronics
• جنس نیمه‌هادی: Silicon
• فناوری ساخت: Multi-Epitaxial Mesa
• پکیج: TO-3 فلزی Type R
• تعداد پایه خارجی: 2 پایه به‌همراه بدنه متصل به کلکتور
• پایه 1: Base
• پایه 2: Emitter
• بدنه فلزی: Collector
• حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر VCEO: برابر 450V با IB=0
• حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر VCER: برابر 1000V با RBE≤10Ω
• حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر VCES: برابر 1000V با VBE=0
• حداکثر ولتاژ امیتر-بیس VEBO: برابر 7V
• حداکثر جریان کلکتور IC: برابر 30A
• حداکثر جریان پیک کلکتور ICM: برابر 60A برای tp≤5ms
• حداکثر جریان پیک غیرتکراری کلکتور ICP: برابر 80A برای tp≤20µs
• حداکثر جریان بیس IB: برابر 8A
• حداکثر جریان پیک بیس IBM: برابر 30A برای tp≤5ms
• حداکثر توان تلفاتی PTOT: برابر 250W در Tc=25°C
• حداکثر ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر VCE(sat): برابر 1.5V در IC=16A و IB=3.2A
• حداکثر ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر VCE(sat): برابر 5V در IC=24A و IB=5A
• حداکثر ولتاژ اشباع بیس-امیتر VBE(sat): برابر 1.6V در IC=16A و IB=3.2A
• زمان روشن‌شدن ton: حداکثر 1µs در شرایط آزمون دیتاشیت
• زمان ذخیره ts: حداکثر 3µs در شرایط آزمون دیتاشیت
• زمان سقوط tf: حداکثر 0.8µs در شرایط آزمون دیتاشیت
• حداکثر مقاومت حرارتی پیوند تا بدنه Rth(j-case): برابر 0.7°C/W
• حداکثر دمای پیوند Tj: برابر 200°C
• دمای نگهداری: از -65°C تا 200°C
• وضعیت تولید سازنده: Obsolete

کاربردها

ترانزیستور BJT قدرت NPN مدل BUX98A در مدارهایی کاربرد دارد که به سوئیچینگ ولتاژ بالا و جریان قابل توجه نیاز دارند. طراحی آن برای مبدل‌های فرکانس بالا و تجهیزات قدرت تک‌فاز و سه‌فاز انجام شده و به همین دلیل در تعمیر منابع تغذیه، تجهیزات سوئیچینگ قدیمی و مدارهای تبدیل توان قابل استفاده است. انتخاب هیت‌سینک و مدار درایو بیس مناسب برای استفاده مطمئن ضروری است.

• مبدل‌های فرکانس بالا
• منابع تغذیه سوئیچینگ قدرت
• تعمیر تجهیزات قدرت قدیمی
• مدارهای اینورتر مبتنی بر BJT
• تجهیزات سوئیچینگ متصل به شبکه
• مدارهای خطی توان بالا
• مبدل‌های توان تک‌فاز و سه‌فاز
• مدارهای کنترل و سوئیچ بارهای قدرت