ترانزیستور BC639 از نوع NPN و اپی‌تاکسیال سیلیکونی بوده که برای کاربردهای عمومی تقویت و سوئیچینگ طراحی شده است. این قطعه دارای قابلیت عبور جریان تا 1 آمپر و ولتاژ کلکتور تا 80 ولت می‌باشد. به دلیل توان مصرفی 1 وات و بهره جریان بالا، این ترانزیستور در طراحی مدارهای صوتی، درایورهای بارهای کوچک، و تقویت‌کننده‌های سطح متوسط بسیار پرکاربرد است. پکیج TO-92 آن، نصب آسان در بردبردها و مدارهای آزمایشگاهی را فراهم می‌کند. BC639 همچنین مکمل مدل‌های PNP سری BC640 محسوب می‌شود و در طراحی‌های متقارن نیز به‌کار می‌رود.

مشخصات

• نوع قطعه: NPN
• پکیج: TO-92
• ولتاژ کلکتور-امیتر (VCEO): 80V
• ولتاژ کلکتور-بیس (VCBO): 100V
• ولتاژ امیتر-بیس (VEBO): 5V
• جریان کلکتور (IC): حداکثر 1A
• جریان لحظه‌ای کلکتور (ICP): حداکثر 1.5A
• جریان بیس (IB): حداکثر 100mA
• توان مصرفی (PC): 1W در دمای 25°C
• دمای کاری (TJ): تا 150°C
• بهره جریان مستقیم (hFE): بین 40 تا 250 در جریان‌های مختلف
• فرکانس گذر (fT): حدود 100MHz در جریان 10mA و ولتاژ 5V
• ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (VCE(sat)): حدود 0.5V در جریان 500mA
• ولتاژ بایاس بیس-امیتر (VBE(on)): حدود 1.0V در جریان 500mA

کاربردهای رایج

ترانزیستور BC639 انتخابی ایده‌آل برای مدارهایی است که نیاز به جریان بالا، توان متوسط و تقویت در فرکانس‌های پایین تا متوسط دارند. این ترانزیستور در منابع تغذیه، کنترل بارهای سبک، مدارهای صوتی، و سیستم‌های سوئیچینگ پرکاربرد است.

• تقویت‌کننده صوتی سطح پایین تا متوسط
• درایور نمایشگر یا بارهای مقاومتی
• مدارهای سوئیچینگ با جریان بالا
• کنترل موتورهای کوچک
• پروژه‌های روباتیک و کنترل PWM
• درایور رله یا سلف‌های کوچک
• منابع تغذیه خطی و تنظیم ولتاژ
• نوسان‌سازهای فرکانس پایین
• مدارهای تقویت سیگنال در ابزارهای اندازه‌گیری
• سیستم‌های مبتنی بر میکروکنترلر با خروجی دیجیتال

Specification

Product Category: Bipolar Transistors - BJT
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-92-3
Transistor Polarity: NPN
Technology: Si 
Configuration: Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 80 V
Collector- Base Voltage VCBO: 80 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 0.5 V
Maximum DC Collector Current: 1 A
Pd - Power Dissipation: 625 mW
Gain Bandwidth Product fT: 200 MHz
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Current Gain hFE Max: 25 at 5 mA, 2 V
Brand: Diodes Incorporated
Continuous Collector Current: 1 A