ترانزیستور MMUN2211 یک ترانزیستور NPN سیلیکونی از نوع سطح‌نصب (SMD) با شبکه‌ی مقاومت بایاس مجتمع (BRT) است. این قطعه به‌صورت خاص طراحی شده تا جایگزین ترانزیستورهای معمولی به‌همراه مقاومت‌های خارجی بایاس شود، و با تجمیع یک مقاومت سری در پایه (Base) و یک مقاومت پایه-امیتر، ضمن کاهش تعداد قطعات، به ساده‌سازی طراحی مدار کمک می‌کند. استفاده از این ترانزیستور موجب کاهش فضای برد، کاهش هزینه و افزایش قابلیت اطمینان مدارهای دیجیتال می‌شود. این قطعه در پکیج SOT-23 عرضه می‌گردد و دارای عملکرد مطمئن در رنج دمایی گسترده است. ویژگی‌های الکتریکی پایدار و سازگاری با استاندارد RoHS از دیگر مزایای مهم آن محسوب می‌شوند.

مشخصات

• نوع ترانزیستور: NPN
• ولتاژ کلکتور-امیتر (VCEO): 50V
• ولتاژ کلکتور-بیس (VCBO): 50V
• جریان کلکتور (IC): 100mA
• توان تلفاتی کل (در دمای 25°C): 246mW (روی PCB کوچک)، 400mW (روی PCB با سطح بزرگ)
• مقاومت بایاس پایه (R1): 10kΩ
• مقاومت بایاس پایه-امیتر (R2): 10kΩ
• نسبت مقاومت‌ها (R1/R2): 1.0
• ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (VCE(sat)): حداکثر 0.25V در جریان 10mA
• بهره جریان DC (hFE): بین 35 تا 60 در جریان 5mA
• دما کاری و ذخیره‌سازی: °C 150 ~ °C −55
• نوع پکیج: SOT-23

کاربردهای رایج

ترانزیستور MMUN2211 به‌دلیل دارا بودن مقاومت‌های داخلی بایاس، گزینه‌ای ایده‌آل برای مدارهای دیجیتال، مبدل‌های سطح ولتاژ، تقویت‌کننده‌های ساده، و طراحی‌های با فضای محدود است. استفاده از آن در پروژه‌های تجاری، صنعتی و آموزشی به کاهش زمان طراحی و افزایش پایداری کمک می‌کند.

• استفاده در مدارهای سوئیچینگ دیجیتال
• سطح‌ساز ولتاژ بین میکروکنترلر و بارهای صنعتی
• درایور خروجی منطقی برای بارهای کوچک
• مدارهای اینورتر اپن‌کالکتور
• مدارهای جریان ثابت ساده
• مدارهای رله و خروجی ترانزیستوری PLC
• مبدل‌های سطح در ارتباطات سریال
• تقویت‌کننده‌های ساده در تجهیزات پرتابل
• مدارهای محافظ در ورودی‌های صنعتی
• درایور LED در ولتاژ پایین

Specification

• Transistor Type : NPN
• Collector-Emitter Voltage (VCEO): 50 V
• Collector-Base Voltage (VCBO): 50 V
• Collector Current (IC): 100 mA
• Total Power Dissipation (at 25°C) :246 mW (on minimal pad), 400 mW (on 1×1 inch pad)
• Base Resistor (R1): 10 kΩ
• Base-Emitter Resistor (R2): 10 kΩ
• Resistor Ratio (R1/R2): 1.0
• Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)): Max 0.25 V at IC = 10 mA
• DC Current Gain (hFE): 35 to 60 at IC = 5 mA, VCE = 10 V
• Operating and Storage Temperature Range: −55°C to +150°C
• Package Type: SOT-23