ترانزیستور S8550 یک ترانزیستور نوع PNP تک‌زوج (Single) با فناوری سیلیکونی (Si) است که در پکیج استاندارد TO-92 عرضه می‌شود. این ترانزیستور برای کاربردهای تقویت‌کننده و سوئیچینگ در مدارهای الکترونیکی طراحی شده و به‌دلیل ولتاژ کلکتور-امیتر حداکثر 25- ولت و جریان کلکتور مداوم 1.5- آمپر، عملکرد قابل اعتمادی در بسیاری از پروژه‌های کم‌تا‌متوسط توان دارد. حداکثر توان تلفاتی این قطعه 1 وات بوده و دارای ضریب بهره جریان مستقیم (hFE) بین 85 تا 300 است. با پهنای باند 200 مگاهرتز، S8550 قابلیت استفاده در کاربردهایی با فرکانس نسبتاً بالا را نیز دارد. همچنین افت ولتاژ اشباع پایین (0.28- ولت) بین کلکتور و امیتر باعث بهبود بازدهی در حالت سوئیچینگ می‌شود. این ترانزیستور در دمای محیطی بین 65- تا 150+ درجه سانتی‌گراد به‌خوبی عمل می‌کند و گزینه‌ای ایده‌آل برای مدارهای عمومی و مصرفی در صنایع الکترونیک به‌شمار می‌رود.

مشخصات

• نوع ترانزیستور: PNP
• نوع پکیج: TO-92
• پیکربندی: Single
• ولتاژ کلکتور به امیتر (VCEO): 25- ولت
• ولتاژ کلکتور به بیس (VCBO): 40- ولت
• ولتاژ امیتر به بیس (VEBO): 6- ولت
• حداکثر جریان کلکتور (DC): 1.5- آمپر
• ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر: 0.28- ولت
• توان تلفاتی (Pd): 1 وات
• ضریب بهره جریان (hFE): حداقل 85، حداکثر 300
• فرکانس گذر (fT): 200 مگاهرتز
• دمای کاری: 65- تا 150+ درجه سانتی‌گراد
• ابعاد: 4.7 × 4.7 × 3.93 میلی‌متر
• تکنولوژی ساخت: سیلیکونی (Si)
• نوع بسته‌بندی: Bulk

کاربردهای رایج

ترانزیستور S8550 به‌دلیل توان متوسط و ویژگی‌های تقویت‌کنندگی و سوئیچینگ، انتخاب مناسبی برای کاربردهای عمومی در طراحی مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. از جمله موارد پرکاربرد آن می‌توان به تقویت‌کننده‌های صوتی، درایورهای LED، مدارهای تغذیه کمکی و کنترل بارهای سبک اشاره کرد.

• تقویت‌کننده‌های صوتی کم‌قدرت
• مدارهای سوئیچینگ عمومی
• درایور ترانزیستور مکمل برای NPN
• مدارهای تغذیه و تثبیت‌کننده ولتاژ
• کنترل بارهای کوچک DC
• مدارهای آموزشی و تمرینی
• درایور LED
• مدارهای تایمینگ و نوسان‌ساز
• راه‌انداز رله‌های کوچک
• مدارهای دیجیتال سطح پایین

Specifications

Package / Case:     TO-92-3     
Transistor Polarity:     PNP     
Configuration:     Single     
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:     - 25 V     
Collector- Base Voltage VCBO:     - 40 V     
Emitter- Base Voltage VEBO:     - 6 V     
Collector-Emitter Saturation Voltage:     - 0.28 V     
Maximum DC Collector Current:     1.5 A     
Pd - Power Dissipation:     1 W     
Gain Bandwidth Product fT:     200 MHz     
Minimum Operating Temperature:     - 65 C     
Maximum Operating Temperature:     + 150 C     
Series:     SS8550 / S8550   
Packaging:     Bulk     
DC Current Gain hFE Max:     300     
Height:     4.7 mm     
Length:     4.7 mm     
Technology:     Si     
Width:     3.93 mm     
Continuous Collector Current:     - 1.5 A     
DC Collector/Base Gain hfe Min:     85     
Product Type:     BJTs - Bipolar Transistors