IRF9540 یک ترانزیستور قدرت MOSFET از نوع P‑Channel است که برای کاربردهای سوئیچینگ و کنترل توان در مدارهای الکترونیکی طراحی شده است. این قطعه با استفاده از فناوری سیلیکونی MOSFET ساخته شده و قادر است ولتاژ درین-سورس تا 100 ولت را تحمل کند. همچنین جریان پیوسته درین آن تا 19 آمپر می‌رسد که باعث می‌شود برای مدارهای قدرت متوسط تا بالا گزینه‌ای قابل اعتماد باشد.

این ماسفت در پکیج TO‑220 ارائه می‌شود که یکی از رایج‌ترین پکیج‌ها در قطعات قدرت است و امکان نصب آسان روی هیت‌سینک را برای دفع حرارت فراهم می‌کند. مقاومت درین به سورس در حالت روشن (Rds(on)) حدود 200 میلی‌اهم است که موجب کاهش تلفات توان و افزایش راندمان در مدارهای سوئیچینگ می‌شود.

IRF9540 به دلیل ساختار P‑Channel معمولاً در مدارهای سوئیچینگ سمت مثبت منبع تغذیه (High‑Side Switching) مورد استفاده قرار می‌گیرد. این ویژگی باعث می‌شود در طراحی منابع تغذیه، درایور موتور، مدارهای محافظت باتری و کنترل بارهای توان بالا بسیار کاربردی باشد. همچنین محدوده دمای کاری گسترده آن از -55 تا +175 درجه سانتی‌گراد باعث شده در تجهیزات صنعتی و محیط‌های کاری مختلف عملکرد پایداری داشته باشد.

مشخصات

• مدل: IRF9540
• نوع ترانزیستور: MOSFET
• قطبیت ترانزیستور: P‑Channel
• تعداد کانال: 1 Channel
• ولتاژ شکست درین-سورس: 100 V
• جریان پیوسته درین: 19 A
• مقاومت درین-سورس در حالت روشن (Rds On): 200 mOhm
• حداکثر ولتاژ گیت-سورس: -20 V تا +20 V
• حداقل دمای کاری: -55 °C
• حداکثر دمای کاری: +175 °C
• حداکثر توان اتلاف: 150 W
• نوع نصب: Through Hole
• پکیج: TO‑220‑3
• فناوری ساخت: Si
• سازنده: onsemi

کاربردهای رایج

ماسفت IRF9540 برای کنترل بارهای توان بالا و سوئیچینگ در مدارهای الکترونیکی استفاده می‌شود. ساختار P‑Channel آن امکان طراحی ساده‌تر در مدارهای سوئیچ سمت مثبت را فراهم می‌کند و در بسیاری از مدارهای قدرت و منابع تغذیه مورد استفاده قرار می‌گیرد.

• سوئیچینگ سمت مثبت منبع تغذیه (High‑Side Switching)
• مدارهای کنترل موتور DC
• طراحی منابع تغذیه سوئیچینگ
• مدارهای محافظت باتری
• مدارهای درایور بارهای توان بالا
• کنترل توان در سیستم‌های صنعتی
• مدارهای اینورتر و مبدل توان
• پروژه‌های الکترونیک قدرت
• بردهای کنترل توان در تجهیزات الکترونیکی
• سیستم‌های مدیریت انرژی

Specification

Manufacturer: onsemi
Product Category: MOSFET
Technology: Si
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Transistor Polarity: P-Channel
Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Id - Continuous Drain Current: 19 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 200 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Pd - Power Dissipation: 150 W